[参考译文] PMP8740：PSFB MOSFET 无负载耗散

尊敬的 Aneesh：

1) 1)全桥初级侧的所有 MOSFET 在轻负载时的损耗应小于满载、即使 ZVS 因 Iout <标称值的20%而丢失也是如此。 如果您遇到这些温度、您可能会击穿 这些 MOSFET 或在这些 MOSFET 中没有足够的死区时间。 请通过观察开关节点(每个桥臂的中心点)和 Gat 驱动进行仔细检查。 如果发生这种情况、则初级侧的死区时间可能取决于负载(在我的 PMP8740中、我没有负载、因为它们是固定的)。 因此、请禁用负载的相关性和/或增加死区时间。 另请查看初级和同步 FET 之间的死区时间。

2) 2) PMP8740在峰值电流模式下工作：这对于平衡变压器中的磁通和避免饱和是必要的。 可以向匀场电感器添加一个串联电容器、但仅当您将调制从峰值电流模式更改为电压模式时； 如果 您添加 一个电容器并且仍在运行峰值电流模式、则在两个半周期(Ton)期间、电压可能会略有失衡、从而导致输出端出现次谐波纹波。  除此之外、电容器平衡变压器中的磁通、峰值电流模式调制也希望实现这一点；这可能会导致相互对抗。

此致、

Roberto

尊敬的 Aneesh：

您写道：

"我的 MOSFET 加热是因为增加了更多死区时间吗？、因为根据数据表中的图29和图30、电流感应电压将会减少死区时间吗？ 因此、如果死区时间更短、我在高负载时应该会遇到更多问题"

在我的电路板中、CS (电流感应)信号通过电阻器 R8添加。 如您所见、该电阻器为"DNP"、因此未组装。 此设置消除了与电桥电流的依赖性、从而修改了 AB 和 CD 延迟。 您是否组装了 R8？

如果您还将 R8作为 DNP、则总延迟将由 数据表 TAB_SET=5*Rab/0.26 (当 CS=0时)中的公式(3 )定义、其中 Rab 以千欧为单位；这意味着、在 Rab=82KOhm 时、AB 延迟为1.577微秒。 这种延迟很长，我不建议保留。 也许、由于延迟太高、 开关节点上下摆动、并且低侧 FET 在达到最高值时(涉及高开关损耗)导通。 请仔细检查桥上的开关节点 的外观。

BTW、作为起点、我建议采用我在 PMP8740中使用的值。

我的电路板在峰值电流模式下工作。 数据表的7.3.11段介绍了从峰值模式到电压模式的变化方式。

此致、

Roberto

尊敬的 Aneesh：

在 DELAB 和 DELCD 电阻上使用49.9K 时、您遇到了哪些轻载问题？ 电流中是否存在尖峰？ 这可能是由 ZVS 损耗和硬开关导致的。 无论如何、这是正常的、并通过使用 FET 的最新 CFD 或 CFD2技术来降低。 您可以通过同时观察每个 MOSFET 的 VDS 和 VGS 来检查转换器是否在零电压开关模式下工作：如果在 VDS 为 zero...it´s ZVS 时驱动它：-)。

因此、我建议使用更短的延迟时间、并解决噪声问题(例如通过滤波)。

现在、"使用电阻分压器将 Adel 引脚连接到 CS 引脚(在 PMP8740中安装 R8)"意味着负载电流越高、延迟时间越短、因为初级电流越高、开关节点从接地摆动到 Vin 的速度就越快、 较低的是 MOSFET 所需的延迟。

此外：您的第2.1点和第2.2点是正确的。 为了确保在峰值电流模式下工作、不建议使用 Rsum 电阻器设置控制器、并将串联电容器添加到匀场耦合器中。

此致、

Roberto