芯片：TMS570LS0914

现象：首先570程序用了一个GIO以90ms周期在固定翻转，然后注入了干扰后（干扰外部晶振），发现晶振出现了尖峰但是马山回到正常，但是此时GIO的翻转周期却变成了1500ms，足足慢了16.6倍左右，后查询手册中提到内部晶振（HF LPO）是9.6M，正常时候PLL是160M，160/9.6=16.6倍，跟实验现象完全吻合，所以目前确定570异常后自动切换回了内部晶振。

问题…

你好，

我在使用CCS编译程序后，使用XDS100v2仿真器烧写程序时出现invalid bank的问题，

使用的芯片为TMS570LS0914 ，flash内存范围为1MB，0x00100000.

出现图中所示的问题，0xC087F被映射到一个invalid bank。

应该如何解决？

大家好，

我在使用Flash F021库编程TMS570LS0914芯片。

进行了两次写入，第一次成功了，但是第二次失败了。

第一次写入的地址是0x00020000，长度是0x0FFC，也就是写入了4094个bytes。不是4096个bytes。

第二次写入的地址是0x00020FFE，也是写入4094个bytes，然后这一次写入出问题了，显示是写入成功，但是check的时候失败了，并且读内存的时候发现全部都是0xFFFFFFFF…

大家好，我想读一下tms570ls0914芯片的SPI1的寄存器的SPIFMT 的值，请问在debug模式下应该如何操作

现象 ：

我先用HALCoGen配置了RTI Compare0(Period=1000ms)和RTI Compare1(Period=100us)，并配置为IRQ。然后生成代码。

然后在生成的定时器0和定时器1中断函数里做如下操作：

关中断和开中断的原型如下（在sys_core.asm中）：

发现当定时器1里面的计数器Time1_Cnt=10002的时候，再单步执行，当执行完912行的时候会进入_esmCcmErrorsClear_…

大家好，我在配置tms570ls0914的spi通信，想要配置时钟极性和时钟相位，想设置为01模式。我在hal中配置好了，而且检查过mibspi.c的源码，确实是01模式，但是我在测试spi的clk波形发现clk信号在不传输的时候是高电平，波形有点像是11模式的波形，想请教一下大家这种问题会是什么原因造成的。