F149进行FLASH随机地址写入，为什么flash_writechar()函数，单个使用可以正常在FLASH写入数据，两个flash_writechar()函数一起使用，就无法写入？

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此为flash_writechar() 的子函数，将infoA段的数据复制到RAM中

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void flash_backup2RAM_char(unsigned int segment,unsigned char *array,int segsize)
{
unsigned char *ptr=(unsigned char *)segment;
int i;
           for(i=0;i<segsize;i++)
           {
                array[i]=ptr[i];
           }
}

void flash_writechar(unsigned int addr,unsigned char data)
{
unsigned char *flash_ptra;
unsigned char *flash_ptrb;
unsigned char backuparray[32];
int i;
flash_ptra=(unsigned char *)0x1080;
flash_ptrb=backuparray;
flash_backup2RAM_char(flash_saveaddr,backuparray,32);
FCTL1=FWKEY+ERASE;
FCTL3=FWKEY;
_DINT();
*flash_ptra=0;
 while(FCTL3&BUSY);

FCTL1=FWKEY+WRT;
       for(i=0;i<MAX_DATA_NUM;i++)
       {
                       if(i==addr)
                      {
                             *flash_ptra++=data;
                               while(FCTL3&BUSY);
                               flash_ptrb++;
                      }
                       else
                      {
                                 *flash_ptra++=*flash_ptrb++;
                                    while(FCTL3&BUSY);
                      }
        }
FCTL1=FWKEY;
FCTL3=FWKEY+LOCK;
_EINT();
}

例如：

void main()

{

flash_writechar(addr_gaoya,0x02);

}

调试的时候，全速运行以上主函数，能成功在0x1080偏移量为addr_gaoya的地址上写入0x02 ；

但

void main()

{

flash_writechar(addr_gaoya,0x02);

flash_writechar(addr_default,0x05);

_NOP();

}

调试的时候，全速运行以上主函数，则无法在以上两个任意一个地址写入任意一个数（即0x1080,infoA段上仍然全是FF）。如果在下一句的_NOP();处设置断点，

全速运行后到达不了该断点处。

PS:  IAR里的opinion里的FET Debugger里的“erase main memory”  与“erase main and information memory”选项  都已尝试过。

求解惑