您好,已经收到了您的案例,调查需要些时间,感谢您的耐心等待。
您好
请分享您的原理图
TPS48111_upti.PDF
你好 原理图见附件 0066.TPS48111_upti.PDF
目前做了如下调试:
1、输出的2*1000uF C72898/C72899去掉 没效果;
2、拉低INP,Cbst电容测试0.47/1/2.2uF BST-SRC电压在12.V左右,看上去和手册能对上;
3、拉高INP到3.3V,输出没负载只有个接线端子,PU和SRC电压一直相等,看上去是导通了PD而不是PU,FLTI一直拉低,但是测试TMR电压,只有0.6V左右,也没异常
4、只驱动一个mosfet V1853,好像也开不起。
实在没看懂为啥这样。
从你的设计来看,你的自举电容器不够大,无法支持你的MOSFET:
每个mosfet都有一个Q=231nF,Q总计=231*6=1386nF
您的BST需要至少为1386nF,才能在打开时为所有6个FET充电,目前为940nF
你好 我尝试增加了1uF或者2.2uF 现象好像一样
预充电的G能够正常到62V左右
但是主回路的PU就拉不到62V 提示过流 然后timer管脚一直反复三角波 但是我输出都是悬空的
另外,pu/PD管脚为啥振荡这么高
仅为了确认我的理解:
在第一个问题中,您会发现如果同时将INP和EN拉高,设备无法启动;然而,如果您等待INP变为高电平后再启动,设备则能够正常启用在第二张截图中,您使用的是预充电路径,并观察到设备需要200微秒进行充电?你仅在第三张截图中使用了预充电路径吗?
能否提供同一测试的BST-SRC和栅极波形,以便我了解具体情况?
好的 目前现象是
1、如果我不加负载拉高INP PU能到62V 开启mosfet后 可以带负载到10A
2、如果我只加0.1A或者0.01A非常小的负载 再去拉高INP,则开启异常,fault 过流LED亮。
似乎我加非常小的负载 就会导致器件保护?
如图 为啥还有负压出现?
似乎我加非常小的负载 就会导致器件保护?下面是拉高INP各点波形
1、hi,上面图片是已经加载负载异常的测试图片,没有抓取INP low-->high的点;
2、yes 我仅仅加一个0.1A的负载,就会无法开启mosfet
3、另外,我尝试增加Riscp电阻,会导致mosfet烧毁,但是不清楚是过压还是过流击穿mosfet