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BQ25756: 无法工作

lliulinping liu
Prodigy 20 points
Part Number: BQ25756
Other Parts Discussed in Thread: EV2400,

您好！

      我们现在有个项目，采用BQ25756RVRR，也有评估板，但现在存在以下问题：

      1. 上电后用EV2400观察，芯片配置，状态正常；

      2. 输入电源25V，驱动电压（外部）10V，都正常；

      3. 但板子无输出，还经常烧坏MOSFET，BQ25756也会损坏。

      请问，这个是什么原因。

      原理图：

      

      PCB layout:

EV2400读取屏幕截图：

期待您的建议

  • 0
    TI__Expert 7725 points

    我看不见您的示意图。 您能否给我发送您的原理图和布局的更高分辨率图像？ 

  • 0 回复 Eirwen
    Prodigy 20 points

    BQ25756_Circuit_20241028.pdf

    目前还有一个问题，上电开始工作，REGN（+5V）会损坏；

  • 0 回复 lliulinping liu
    TI__Expert 7725 points

    感谢新信息

    下面是我对原理图的建议：

    BTST二极管需要是肖特基二极管
    我们不建议在开关FET上使用下拉电阻。 I.建议拆除R5，R6，R7，R10 R17，R18， R19和R20
    电路需要在输入/输出传感电阻器之间平衡输入/输出电容器。 平衡不一定精确
    例如，可以通过将CO1移至RS2和Q4之间的轨迹来平衡输出电容器
    输入端也可以执行同样的操作。 Ci1可移至RS1和Q1之间的迹线
    我建议在进行初始测试时拆除并行FET
    下面是我对布局的建议：

    我建议将VAC，BTST和REGN帽移近IC。 这些部件需要靠近IC以帮助处理高频噪音
    如果发热是一个问题,我建议移动一个4或6层的主板。 铜质较厚的电路板将传导更多热量，并有助于将热量从FET中移走
    我还建议增加板上的通孔数量。 这有助于在各层之间传热
    您能否向我发送电感器的型号名称？

    以下是BQ2575X系列常见问题解答和BQ25756的示意图和布局核对表，仅供参考

  • 0 回复 Eirwen
    Prodigy 20 points

    目前我们重新设计了第二版，但还是不工作，能否帮忙回复一下几个问题：1. 这个IC的驱动是否要很靠近IC才行？如果是，那最小距离是多少？2. 是否必须使用4层板以上，才能符合layout要求？

  • 0 回复 lliulinping liu
    Prodigy 20 points

    您好！

    收到您的建议，我们做了调整，但还是不能正常工作，主要改动点如下：

    1. 采用专用的LDO为驱动供电（12V）；

    2. 修改了驱动回路及周边元件（见附件及原理图、PCB）；

    3. 增加了过孔。

    目前十分紧急，因此，请进尽快帮我们提供建议。

    另外，我们需求澄清一下几个原则：

    1. BQ25756的驱动最远距离能支持多少？

    2. 此方案是否不支持双面PCB？

    3. MOSFET是否最好用贴片？不能用TO-220封装吗？

  • +1 回复 lliulinping liu
    TI__Expert 7725 points

    感谢新信息。

    我有几个问题可帮助对此进行故障排除：

    问题是否与旧主板相同？
    您能否将更新后的示意图和电感器发送给我？
    客户在VBAT上使用的负载是多少？
    客户尝试充电的电流是多少？

    lliulinping liu 说：
    1. 这个IC的驱动是否要很靠近IC才行？如果是，那最小距离是多少？

    我不太确定你所说的是什么意思。 您能否改写这个问题？ 

    lliulinping liu 说：
    2. 是否必须使用4层板以上，才能符合layout要求？

    客户可以使用2层电路板满足布局要求。 但是，使用4层电路板有助于散热。 

  • 0 回复 Eirwen
    Prodigy 20 points

    3858.BQ25756_Circuit_20241217.pdf

    1. 与上次的PCB结构一致，按照您提的几个改进点都修改了；

    2. 附件有这次最新的layout，供您参考；

    另外，能否提供其它沟通方式，进行视频指导呢？

  • 0 回复 lliulinping liu
    TI__Expert 7725 points

    感谢新信息。 我有几个问题可以帮助我们进行故障排除：

    在进行任何改进后，电路行为是否发生了变化？

    你能给我电感器的数据表吗? 建议使用DCR在2mΩ至60mΩ范围内的电感器。

    我们还建议使用屏蔽电感器。

    我看了看FET，发现VGS电压是3V。 如果您使用VGS约为2V的FET，电路行为是否会发生变化？

    客户是否尝试并行拆除一些FET？

    如果可能，您能否向我发送SW1，SW2和VBAT的切换波形？
    我对布局有一些建议：

    我建议卸下R200并直接将2个GND平面连接在一起。

    确保gate驱动轨迹和SW轨迹的厚度至少为20mil
    如果可能，尽量不要在HIDRV迹线旁边路由LODRV迹线。 务必确保在SW迹线旁边布设HIDRV迹线。 SW迹线是HIDRV迹线的返回路径。
    另外，如果可能，请尝试将ACN/ACP线路布线到远离栅极驱动轨迹的位置。
    如果对此有任何疑问，请告诉我。 让我知道客户是否希望在执行另一个修订之前再查看原理图或布局。

    很抱歉，没有其他的联系方式。