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尊敬的 John：
感谢您的查询。 我是 TI 功率 MOSFET 的应用工程师。 我没有使用此参考设计、但已经查看了原理图。 在正常运行期间、VCPH 应该被拉高至足够高于输入电压的水平以打开并完全增强 Q8。 在这些条件下、漏源极电压 VDS 约为0V。 当 FET 从截止区域到线性区域(VDS << Vgs - Vth)穿过饱和区域(Vds > Vgs - Vth)时、我们最关心的是…
