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您好、Clark、
非常感谢您的回复。 这就是原因。
此致、
John
原理图上的"20A"信息注释旨在提醒设计人员这些是高电流节点、因此在布局期间布线应具有足够的宽度。 根据您的建议、在正常运行期间、输入功率将由三个相位共享。 但是、在启动或失速条件下、一个电机相位可能会暂时具有大部分电流、因此通常建议为每个相位设计布线、以承载超过正常电流的电流。
您好、Clark、
非常感谢您的深刻解释。 这很有帮助。
此致、
John
John、
正确的做法是、转角频率不同。 设计指南中的图20显示了在 TINA-TI 电路仿真工具中仿真的电机电流感应放大器电路的频率响应。 正如预期的那样、低频增益为-23dB、对于这些 R22和 C28值、转角频率约为450kHz。 这足够高、能够传递正常 PWM 频率的所有重要电流信息。
对于电压检测滤波器、由 C15和 R10形成的 RC 时间常数(请参阅图21)提供了转角频率为318Hz…
John、
在 TIDA-010056中、去耦电容器 C10、C11和 C12将在高侧和低侧 FET 上实现高频的低阻抗路径、例如在剧烈转换期间。 TIDA-010056设计指南的第2.4.1节对这些进行了讨论。 请注意、SLx 通过 R24和 R25并联连接到 GND、这是0.5毫欧的组合。
您好、Clark、
感谢您的回复。 但是、我仍然对将这些电容器连接到 SLx 与接地之间的优缺点感到困惑。 在 TIDA-010056中、C10、C11、C12从 VDC 连接到 SLX、而 TIDA-010056中使用的 DRV8350R 也是智能栅极驱动器。
谢谢、期待收到您的回复、
John
John、
我认为 C1、C2和 C3作为缓冲电容器的作用更小、更像是与 C8和 C9一起使用的快速大容量电容器。 在许多设计中、使用缓冲电容器通常是为了减少 PWM 转换期间的"振铃"过冲。 但我们发现、通过使用 DRV8305的可调节"智能驱动"(IDRIVE 和 TDRIVE)设置、不需要缓冲器。
如果您参考 DRV8305-Q1…
John、大家好、下午好。 您的 E2E 问题已转发给我们的汽车系统设计团队。 请让我们在另一个工作日回顾并回答您的问题
此致
John Fullilove
参考设计操作
应用工程师
John、
很抱歉耽误你的时间。 我联系了设计 TI 参考设计的工程师、以更深入地了解确定 RC 滤波器的因素。 请记住、这些 TI 参考设计是几年前的设计、因此我可以提供的详细分析是有限制的。
1) 1)我看到这里是另一个 e2e 帖子、其中针对 TIDA-0074提出了类似的问题 。因此、我将推迟到该主题以获得对此的答案。
在 TIDA-00901/TIDA-00281设计中…
https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/900352/lmt86-q1-rc-selection
器件型号：LMT86-Q1…您好、Clark、
这很有帮助。
谢谢、
John
John、除了 C1、C2和 C3、大电容 C8和 C9也在 PVDD 和 GND 节点之间并联。 电机运行期间的大部分大电流瞬变都是平滑的。 C1-C4、C6、C10等较小电容值的电容值要小得多、但通常使用各种电容值、以便其不同的最佳频率响应频带覆盖较宽的范围。
就大(大容量)电容器而言、通常越大越好。 成本和电路板尺寸将限制可添加的电容大小。 参考设计指南中有讨论电容器选择的讨论和公式…
您好、Clark、
非常感谢您的详细解释。 这很有帮助。
此致、
John
John、
设计指南中的仿真使用标称值来显示典型结果；如果需要更精确的仿真、则应使用更完整的组件模型。 例如、电容值的变化将受到直流偏置(工作点)的影响、正如您所建议的那样。 但是、电容也会受到初始容差值、老化效应、温度效应等的影响 为了考虑所有这些影响、设计人员可能会考虑运行最坏情况分析或多个 Monte Carlo 仿真。
重点介绍直流偏置的有效电容变化、这里有一个很好的讨论…
您好、Clark、
谢谢。 您能否解释为什么未使用有效电容？ 是否很难估算有效电容、或者结果会有很大不同？
谢谢、此致、
John
John、
仿真中使用了标称电容值。
Clark
尊敬的 John：
谢谢你。 我喜欢阅读您的技术文章。
此致、
John
尊敬的 John：
再次感谢您关注 TI FET。 我相信您的理解是正确的。 请访问我签名中的链接、访问我们的 MOSFET 支持与培训页面。 在这里、您将找到一个有关了解 MOSFET 数据表的博客系列、其中包括一个有关热阻抗的博客系列(链接如下)。 FET 供应商只能保证结至外壳的热阻抗、因为这是我们唯一可以控制的东西。 结至环境取决于 PCB 布局和层叠。 凭借具有多层的良好布局…
尊敬的 John：
非常感谢您的快速回复。 您的答案非常有用。
我还有一个关于 MOSFET 选择的问题。 所选 MOSFET SQJ422EP-T1-GE3在25°C 时具有3.4 Mohms R_DS (on)。 当结温为150C 时、R_DS (on)将升高1.9x、达到6.5m Ω。 因此、电流为20A 时、Q8产生的热量将至少为2.6W。 数据表显示、封装结至环境的热阻为65K…
