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[参考译文] LM5109:LM5109系列之间的差异

Guru**** 1956050 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5109B, LM5109A, LM5109
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/615423/lm5109-differences-between-lm5109-family

器件型号:LM5109

您能解释一下 LM5109、LM5109A 和 LM5109B 之间的差异吗? 我可以在数据表中看到一些差异(无后缀具有更高的电压、似乎是更强大/稳健的驱动器、A 和 B 具有稍低的工作电流和略高的 LO 侧 UVLO)、 但是、我不清楚是否存在真正的性能差异、或者是否有任何更改是更重要的(芯片改进/校正、不同的流程、迁移到新的/不同的晶圆制造厂等)。 虽然 A 和 B 看起来与原始裸片不同、但没有后缀、A 和 B 看起来几乎无法区分。 似乎首选 B 后缀、但如果从较旧版本升级到 B 版本、我看不到任何迹象来指示对设计的任何预期更改。

此外、LM5109 (无后缀)是否采用 WSON 封装? 它位于数据表中、但不在产品页面上。 A 和 B 后缀版本列出了2个封装。

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    www.ti.com/.../lm5109.pdf

    www.ti.com/.../lm5109a.pdf

    www.ti.com/.../lm5109b.pdf
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    您好 Evan、

    感谢您关注 LM5109 A 和 B 版本。 我是 TI 的应用工程师、将会回答您的问题。 我现在正在查看数据表、并将很快做出响应。

    由于存在不同的版本、您能否评论您的设计所需的特性、例如封装首选项等

    此致、

    Richard Herring

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    您好 Evan、
    我收到了有关 LM5109、LM5109A 和 LM5109B 的信息。
    最新器件 LM5109B 的差异与数据表参数无关。 与之前的器件相比、加电初始化实现了一些改进。
    我建议使用 LM5109B、因为参数相同、并且器件的功能有所改进。
    请确认这是否解决了您在对话主题中的疑虑和问题。

    此致、
    Richard Herring
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    您好 Richard、

    感谢您的反馈。 不会从无后缀变为、该器件的设计更改改变了栅极驱动器性能。 从 A 到 B、上电期间有所改进、但栅极驱动器部分没有任何改进。

    我还想知道两件事:
    1.是否存在 LM5109A 可能发生闩锁或行为错误的情况、B 版本会纠正这些情况?
    2.我在原始帖子中询问 LM5109 (无后缀)是采用 WSON 封装还是仅采用 SOIC 封装发布。 您能告诉我吗?

    谢谢!
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    Richard (或其他任何可以回答的人)、您好!

    对上述问题没有答复? 您能帮助绑定这些松动的端头吗?

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    您好 Evan、

    对于您提出的第一个问题、LM5109A 对 LM5109B 进行了改进。 LM5109B 的变化可确保在 VDD 降至工作点以下时、高侧驱动器被强制进入低电平状态。 因此、在 可能出现 VDD 下降且 VHB 仍然处于高电平的情况 下、LM5109A 可能会使高侧输出保持高电平状态。

    由于 LM5109A 和 B 具有相同的参数、并且 VDD 的瞬态条件在功能上有所改善、因此我们建议使用 LM5109B。  

    对于 LM5109 (原始器件)、数据表可订购编号仅列出 SOIC 封装、而不是 WSON。 LM5109A 同时提供 SOIC 和 WSON 封装;LM5109B 同时提供 SOIC 和 WSON 封装。

    此致、

    Richard Herring

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