[参考译文] BQ25750：充电电流波

Ben、您好！

感谢您耐心等待。 我将在本周晚些时候回到您的问题。

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

我测量了降压 FET 栅极、如下所示。

情况1

-输入55V/充电电压:53.3V/最大4A

-频率 ：198kHz 但是、我设置了373kHz(73.2kohm)

似乎 LS 栅极没有足够的开通时间。

情况2

-输入55V/充电电压:53.3V/最大4A

-频率 ：395kHz 与同样的设置 73.2K 欧姆

-正常的行为,但如果 LS 栅极开启时间更长更好。

对于在 BQ25750下运行的正常降压转换器、它是否在输入电压和充电电压之间具有电压差规格？

谢谢

Ben、您好！

感谢您提供新信息。 我现在忙得不可开交、我还在研究调试这一问题。

我有几个问题。

是否有外部栅极驱动电源？ 是否通过添加大约7V 的外部栅极驱动器改善了纹波？

如果设置 ICHG=4A 和 EN_ICHG_PIN=0、纹波是否会消失？

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

我使用7V 电源设置为外部栅极驱动电源。 而且、原始测试板由于探头 GND 引脚而损坏、我更改了测试板 、它具有不同的 FB 电平。

-输入电压:55V/充电电压:57.24V(240K - 6.65K )/最大4A

-外部栅极驱动器电源: 7V(电源连接到阳极焊盘。

- ICHG HW 引脚设置为 GND 6.8K Ω(目标7A)

- ICHG SW = 4A

- EN_ICHG_PIN,我没有设置任何东西,所以它可能是1 (重置)。

结果具有非常大的电流摆幅。  

提前感谢您。

您好 Ethan

抱歉、我单击了错误的"已解决问题"按钮。 如果你需要新的票,请告诉我。

无论如何、为了了解我的测试和设备设置、您在下面回答了您的问题。

 -范围: tek. MSO64B 或 MSO 5204B

1)电流探头在测试前总是消磁。 无振荡问题。

 - VAC 电源: ITECH IT6723( 850W, 48V, 10A 输出设置)

 - MainOut 装载机: Chroma 63123A(刚刚连接,空载)

 -电池:

1) Chroma 62060D-100电池仿真器(VH58.5V/VL42V/SoC20%/Capa5Ah/DCR0.5/OCP10A)。  电缆长度小于150厘米。

2)测试电池 13S2P 以测量充电周期。 (V_CHG 目标最大值： 54.6V)。 电缆 长度小于30cm。  

3) 3) 由于此问题、目标电池14S6P 尚未测试。 (V_CHG 目标最大值： 58.1V)

 - DUT：  

是的、我有自己的电路板、其外形比您的 EVkit 更小巧。 正如我提到的其他票证、我漏掉了自举二极管。 因此需要返修才能正常工作。

我已经上传了另一个 TT 的示意图、如果您需要更具体的信息和照片、请告诉我您的电子邮件

以下是在相同 DUT 条件下比较栅极驱动器外部电源的结果。

-输入:48V

-电池:模拟器作为上部设置

-充电电压目标:57.24V(240K-6.65K)

- ICHG = 4A、 设置 EN_ICHG_PIN=0

1) 1)内部栅极驱动源(REGN)

 - HS 栅极无法达到足够的开启电压(2.4~2.9V 更高)。 因此、LS 栅极导通时间更长。  低侧栅极导通会定期延迟。

2)外部栅极驱动器电源(来自 TI TPS62135的7V 拉电流)

- HS GATE 具有开启电压(3.6V)和比 LS GATE 更长的时间。 充电电流可达到4A。 但它会定期出现相同的 LS 栅极导通延迟问题。

我的问题

- 1)如果我把 DRV_SUP 电压增加到10V,开关行为就会更好,没有延迟? 因为、我的 FET 栅极规格如下所示。

- 2)请告诉我您对48V 电池测试的电路参数,我想把我的电路板设置为您的设置。

谢谢你

Ben、您好！

感谢您提供新信息并感谢您分享 FET 的阈值电压。

FET 的阈值电压比 EVM 上的电压稍高。 为便于比较、AON6226 FET 的典型阈值电压为1.75V。 如果切换为具有较低 VT 的开关 FET、问题是否改变？ 3V 的阈值电压将很难让 BQ25416的5V REGN 驱动。

我认为 HS 栅极驱动电压可能会下降、因为 FET 无法完全导通和关断。

2.明天我会在这项测试中给您回复。

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

谢谢您的评论。

漏极焊盘和过孔很难在 FET 交换测试中正常工作。 我也没有 AON6226。 为了进行调试、我将修改电路板。

-添加自举二极管:"V1FM10-M3/H"已应用 EV 套件。 (低 Vf)

-更改降压-升压 FET : " BSZ070N08LS5ATMA1"有低栅极导通电压电平

-增加外部栅极驱动电源:"TPS7A16A-Q1"具有高达60V 的输入范围, 输出可调节至7V 设置。 输入源来自 VAC 线路。

如果您有任何推荐的调试组件、或获得 测试结果、请告诉我。

谢谢你。

Ben、您好！

Unknown 说：

由于漏极焊盘和过孔、FET 交换测试很难正常工作

交换 FET 始终非常困难。 任何具有较低 VTH 的 FET 都应该这样做。 SiR680LDP、SiR880BDP 或 AONS66920等 FET 应该可以正常工作。

以下是交换 FET 时使用的过程：

• 使用电路板预热器将电路板加热约一分钟。
• 使用800F 的热风枪加热板。
• 如果焊料未熔化、缓慢升温热风枪上的热量。 我经常必须使用热风枪上的最大气流设置来关闭这些 FET。 确保在执行此操作时不会熔断电路板上的任何其他元件。

这将是困难的,如果你没有板预热器或热气枪,虽然。 或许可以使用2个烙铁来熔化 FET 源极和漏极上的焊料、并以这种方式将 FET 提离电路板。

Unknown 说：

更改降压-升压 FET :"BSZ070N08LS5ATMA1" 具有低栅极导通电压电平

这些 FET 也应该起作用

[报价 userid="551379" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1419455/bq25750-charging-current-wave/5456919 #5456919"]添加外部栅极驱动电源

对于外部栅极驱动电源、您在更改 FET 后可能不需要它。 但是、外部栅极驱动器将提高效率。 我已经对 EVM 运行了您的测试、而且 EVM 无需外部栅极驱动电源即可工作。

Unknown 说：

如果您有任何推荐的调试组件或获得 测试结果、请告知我。

对于测试、我有一个我喜欢的测试程序：

• 在 VBAT 电压较低(如10V)时、确保电源路径打开并为 VSYS 提供 VBAT。
• 如果可能、测试使用 I2C 在低电压下充电。 例如、在15Vin 至30Vout (4A)条件下测试充电。
• 测量低电压时的波形、确保 HIDRV 和 LODRV 在该电平下工作。
• 然后、在有问题的电压和电流水平执行测试。

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

感谢您的评论。 我总结了异常开关行为、以便更清楚地了解该问题。

1)自举二极管

 -之前: S1G

 -之后:  V1FM10-M3/H

 -我在输入电压为48V 时得到了正确的运行结果。 但输入电压为55V 时、仍会出现电流摆幅。 (右侧)

 

2) FET 栅极阈值电压(外部栅极驱动电源)

-之前: 3.8Vmax

-之后: 2.3Vmax

-我将在主板修订后进行测试。 我 手中没有其他 FET 需要更换。

3) 3) 55V 输入和57.2V 充电盒(此票证中的原始问题)

-即使我更换了二极管并增加了外部栅极电源,我也不能解决这种开关行为。

让我们来看看。

谢谢你。

Ben、您好！

感谢进行快速总结。

对于3点、您是否尝试过其他电池仿真器、还是尝试过使用电子负载？ 我之前使用的一些设备在电源灌电流时会产生电流纹波。 如果这不是电池/负载问题、我认为新的 FET 可能会有所帮助。

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

我已更改电源来比较55V 输入情况下的电流纹波、结果相同。 我同意您的看法、新的 FET 可能会有所帮助。 我将在电路板修订后更新测试结果。 这张图片展示了在55V 输入情况下测量的降压(HS 栅极)、升压(LS 栅极)。 栅极异常行为使电流摆动、它具有3.9kHz 的频率。  您对这个频率有什么想法吗？

谢谢你。

Ben、您好！

如果不提供更多信息、我不确定纹波的来源。

顺便说一下、您如何测量 Hsgate 信号？

此致、
埃森·加洛韦