[参考译文] BQ25750：充电电流波

Ben、您好！

感谢您耐心等待。 我将在本周晚些时候回到您的问题。

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

我测量了降压 FET 栅极、如下所示。

情况1

-输入55V/充电电压:53.3V/最大4A

-频率 ：198kHz 但是、我设置了373kHz(73.2kohm)

似乎 LS 栅极没有足够的开通时间。

情况2

-输入55V/充电电压:53.3V/最大4A

-频率 ：395kHz 与同样的设置 73.2K 欧姆

-正常的行为,但如果 LS 栅极开启时间更长更好。

对于在 BQ25750下运行的正常降压转换器、它是否在输入电压和充电电压之间具有电压差规格？

谢谢

Ben、您好！

感谢您提供新信息。 我现在忙得不可开交、我还在研究调试这一问题。

我有几个问题。

是否有外部栅极驱动电源？ 是否通过添加大约7V 的外部栅极驱动器改善了纹波？

如果设置 ICHG=4A 和 EN_ICHG_PIN=0、纹波是否会消失？

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

我使用7V 电源设置为外部栅极驱动电源。 而且、原始测试板由于探头 GND 引脚而损坏、我更改了测试板 、它具有不同的 FB 电平。

-输入电压:55V/充电电压:57.24V(240K - 6.65K )/最大4A

-外部栅极驱动器电源: 7V(电源连接到阳极焊盘。

- ICHG HW 引脚设置为 GND 6.8K Ω(目标7A)

- ICHG SW = 4A

- EN_ICHG_PIN,我没有设置任何东西,所以它可能是1 (重置)。

结果具有非常大的电流摆幅。  

提前感谢您。

您好 Ethan

抱歉、我单击了错误的"已解决问题"按钮。 如果你需要新的票,请告诉我。

无论如何、为了了解我的测试和设备设置、您在下面回答了您的问题。

 -范围: tek. MSO64B 或 MSO 5204B

1)电流探头在测试前总是消磁。 无振荡问题。

 - VAC 电源: ITECH IT6723( 850W, 48V, 10A 输出设置)

 - MainOut 装载机: Chroma 63123A(刚刚连接,空载)

 -电池:

1) Chroma 62060D-100电池仿真器(VH58.5V/VL42V/SoC20%/Capa5Ah/DCR0.5/OCP10A)。  电缆长度小于150厘米。

2)测试电池 13S2P 以测量充电周期。 (V_CHG 目标最大值： 54.6V)。 电缆 长度小于30cm。  

3) 3) 由于此问题、目标电池14S6P 尚未测试。 (V_CHG 目标最大值： 58.1V)

 - DUT：  

是的、我有自己的电路板、其外形比您的 EVkit 更小巧。 正如我提到的其他票证、我漏掉了自举二极管。 因此需要返修才能正常工作。

我已经上传了另一个 TT 的示意图、如果您需要更具体的信息和照片、请告诉我您的电子邮件

以下是在相同 DUT 条件下比较栅极驱动器外部电源的结果。

-输入:48V

-电池:模拟器作为上部设置

-充电电压目标:57.24V(240K-6.65K)

- ICHG = 4A、 设置 EN_ICHG_PIN=0

1) 1)内部栅极驱动源(REGN)

 - HS 栅极无法达到足够的开启电压(2.4~2.9V 更高)。 因此、LS 栅极导通时间更长。  低侧栅极导通会定期延迟。

2)外部栅极驱动器电源(来自 TI TPS62135的7V 拉电流)

- HS GATE 具有开启电压(3.6V)和比 LS GATE 更长的时间。 充电电流可达到4A。 但它会定期出现相同的 LS 栅极导通延迟问题。

我的问题

- 1)如果我把 DRV_SUP 电压增加到10V,开关行为就会更好,没有延迟? 因为、我的 FET 栅极规格如下所示。

- 2)请告诉我您对48V 电池测试的电路参数,我想把我的电路板设置为您的设置。

谢谢你

我已将栅极驱动器的电源设置为9V、并且结果与7V 相同。 栅极电压约为5~5.3V。

请告诉我调试的要点。

提前感谢您。

您好 Ethan

谢谢您的评论。

漏极焊盘和过孔很难在 FET 交换测试中正常工作。 我也没有 AON6226。 为了进行调试、我将修改电路板。

-添加自举二极管:"V1FM10-M3/H"已应用 EV 套件。 (低 Vf)

-更改降压-升压 FET : " BSZ070N08LS5ATMA1"有低栅极导通电压电平

-增加外部栅极驱动电源:"TPS7A16A-Q1"具有高达60V 的输入范围, 输出可调节至7V 设置。 输入源来自 VAC 线路。

如果您有任何推荐的调试组件、或获得 测试结果、请告诉我。

谢谢你。

Ben、您好！

Unknown 说：

由于漏极焊盘和过孔、FET 交换测试很难正常工作

交换 FET 始终非常困难。 任何具有较低 VTH 的 FET 都应该这样做。 SiR680LDP、SiR880BDP 或 AONS66920等 FET 应该可以正常工作。

以下是交换 FET 时使用的过程：

• 使用电路板预热器将电路板加热约一分钟。
• 使用800F 的热风枪加热板。
• 如果焊料未熔化、缓慢升温热风枪上的热量。 我经常必须使用热风枪上的最大气流设置来关闭这些 FET。 确保在执行此操作时不会熔断电路板上的任何其他元件。

这将是困难的,如果你没有板预热器或热气枪,虽然。 或许可以使用2个烙铁来熔化 FET 源极和漏极上的焊料、并以这种方式将 FET 提离电路板。

Unknown 说：

更改降压-升压 FET :"BSZ070N08LS5ATMA1" 具有低栅极导通电压电平

这些 FET 也应该起作用

[报价 userid="551379" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1419455/bq25750-charging-current-wave/5456919 #5456919"]添加外部栅极驱动电源

对于外部栅极驱动电源、您在更改 FET 后可能不需要它。 但是、外部栅极驱动器将提高效率。 我已经对 EVM 运行了您的测试、而且 EVM 无需外部栅极驱动电源即可工作。

Unknown 说：

如果您有任何推荐的调试组件或获得 测试结果、请告知我。

对于测试、我有一个我喜欢的测试程序：

• 在 VBAT 电压较低(如10V)时、确保电源路径打开并为 VSYS 提供 VBAT。
• 如果可能、测试使用 I2C 在低电压下充电。 例如、在15Vin 至30Vout (4A)条件下测试充电。
• 测量低电压时的波形、确保 HIDRV 和 LODRV 在该电平下工作。
• 然后、在有问题的电压和电流水平执行测试。

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

感谢您的评论。 我总结了异常开关行为、以便更清楚地了解该问题。

1)自举二极管

 -之前: S1G

 -之后:  V1FM10-M3/H

 -我在输入电压为48V 时得到了正确的运行结果。 但输入电压为55V 时、仍会出现电流摆幅。 (右侧)

 

2) FET 栅极阈值电压(外部栅极驱动电源)

-之前: 3.8Vmax

-之后: 2.3Vmax

-我将在主板修订后进行测试。 我 手中没有其他 FET 需要更换。

3) 3) 55V 输入和57.2V 充电盒(此票证中的原始问题)

-即使我更换了二极管并增加了外部栅极电源,我也不能解决这种开关行为。

让我们来看看。

谢谢你。

Ben、您好！

感谢进行快速总结。

对于3点、您是否尝试过其他电池仿真器、还是尝试过使用电子负载？ 我之前使用的一些设备在电源灌电流时会产生电流纹波。 如果这不是电池/负载问题、我认为新的 FET 可能会有所帮助。

此致、
埃森·加洛韦

您好 Ethan

我已更改电源来比较55V 输入情况下的电流纹波、结果相同。 我同意您的看法、新的 FET 可能会有所帮助。 我将在电路板修订后更新测试结果。 这张图片展示了在55V 输入情况下测量的降压(HS 栅极)、升压(LS 栅极)。 栅极异常行为使电流摆动、它具有3.9kHz 的频率。  您对这个频率有什么想法吗？

谢谢你。

Ben、您好！

如果不提供更多信息、我不确定纹波的来源。

顺便说一下、您如何测量 Hsgate 信号？

此致、
埃森·加洛韦