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大家好、
我有两个问题:
1.我是否必须知道如何在此原理图中计算 CM 电感值? 基于什么?
我注意到 Infineon 已经发布了一个恒定电流类型的 IGBT/MOSFET 驱动器、该链路如下所示。 如文档所述、与电压驱动器类型相比、它们具有更多优势。 对于电流类型 IGBT/SiC MOSFET 驱动器、您有什么意见吗? 优势和劣势? 谢谢。
注:
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/1eds20i12sv/
谢谢。
BR、
晓宾(Eric)
尊敬的 Eric:
非常感谢您的提问。 我与设计人员保持联系、很快就会回来。
此致、
Michael
您好、Michael、
谢谢、Michael。
BR、
晓宾(Eric)
尊敬的 Eric:
非常感谢您的耐心等待。
对于第一个问题–CM 电感应用于均衡栅极电压、因此集电极电流共享相等。 影响基于模块杂散电感、逆变器的 di/dt、栅极驱动器布局和电源。 设计指南第2.2.3节介绍了这种现象,但我们没有计算 CM 值的公式。 大约5000倍的杂散电感可以作为根据系统进行微调的起点–这取决于 IGBT 之间可接受的电流共享水平。
对于第二个问题-在某些条件下、恒流驱动可能是有益的。 恒流输出驱动器不需要外部栅极电阻器、这意味着栅极驱动器会消耗驱动器内部的功率、应考虑这一点。 由于内部架构不同、恒流输出驱动器的成本可能比纯电压驱动器略高。 这个特定的 IFX 器件有很多额外的特性、例如控制压摆率、我无法评论它将为您的应用需求提供哪些扩展。
TI 提供具有集成智能驱动技术的 DRV835x 三相电机驱动器、该技术除其他特性外还包括恒定电流驱动能力。 DRV835x 的额定电压高达100V。 我不确定这是否适合您。 如前所述、恒定电流并不是一件坏事、TI 也不知道这件事。 这只是以合适的成本设置正确的功能的问题。
尊敬的 Eric:
我很高兴看到我可以帮助澄清 CM 电感的用途。 我不确定在您将其称为针对 IGBT 的共模电流工作时、我们的意思是否相同。 我本想把它称为 IGBT 发射极路径中的循环电流。 无论采用哪种方法、TI 都可能不是回答有关 IGBT 使用最佳的问题的合适公司。 TIDA-00917的目的是展示 TI 栅极驱动器产品的功能和性能、并可通过外部 BJT 缓冲级将其增强至15Apk。 为了证明这一点、我们并行添加了实际的 IGBT、并且设计人员使用了常见的设计实践和优化来确保足够好的性能。 要‘优化 IGBT 性能的所有“提示和技巧”,最好自行联系 IGBT 供应商。 我相信每家供应商都有自己的建议、最好地使用他们的产品、包括必要的仿真模型和支持。 很抱歉、IGBT 子系统本身无法提供更多帮助。
此致、
Michael
您好、Michael、
感谢您的反馈、现在我们将保持在同一页。
并联 IGBT ((SiC、不限制2个、10个或更多) 发射极 循环电流将 由 CM 扼流圈抑制。 如果同时使用驱动器并联 IGBT、则可以尝试使用差分扼流圈。
BR、
晓宾(Eric)