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[参考译文] TIDA-00917:计算 CM 电感值

Guru**** 2037690 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00917
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/927251/tida-00917-calculate-the-cm-inductance-value

器件型号:TIDA-00917

大家好、

 我有两个问题:

 1.我是否必须知道如何在此原理图中计算 CM 电感值? 基于什么?

 我注意到 Infineon 已经发布了一个恒定电流类型的 IGBT/MOSFET 驱动器、该链路如下所示。 如文档所述、与电压驱动器类型相比、它们具有更多优势。 对于电流类型 IGBT/SiC MOSFET 驱动器、您有什么意见吗? 优势和劣势? 谢谢。  

注:

https://www.infineon.com/cms/en/product/power/gate-driver-ics/1eds20i12sv/

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Silicon-Carbide_(SiC)_MOSFETs_using_EiceDRIVER(TM)_Advanced_Gate_Drive_Options-ApplicationNotes-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b47c9ac35705b

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Gate_Drivers_Boost_IGBT_Performance_Bodos_Power_Systems-ART-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266f85d6301670826b055322b

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-PCIM_2015_Slew_rate_control_of_discrete_IGBT_and_CoolMOS_reaches_targets_far_beyond_the_gate_resistor_regime-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf0150d23a77d35e54

谢谢。  

BR、

晓宾(Eric)  

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    尊敬的 Eric:

    非常感谢您的提问。 我与设计人员保持联系、很快就会回来。

    此致、

    Michael

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    您好、Michael、

     谢谢、Michael。  

    BR、

    晓宾(Eric)

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    尊敬的 Eric:

    非常感谢您的耐心等待。

    对于第一个问题–CM 电感应用于均衡栅极电压、因此集电极电流共享相等。 影响基于模块杂散电感、逆变器的 di/dt、栅极驱动器布局和电源。 设计指南第2.2.3节介绍了这种现象,但我们没有计算 CM 值的公式。 大约5000倍的杂散电感可以作为根据系统进行微调的起点–这取决于 IGBT 之间可接受的电流共享水平。

    对于第二个问题-在某些条件下、恒流驱动可能是有益的。 恒流输出驱动器不需要外部栅极电阻器、这意味着栅极驱动器会消耗驱动器内部的功率、应考虑这一点。 由于内部架构不同、恒流输出驱动器的成本可能比纯电压驱动器略高。 这个特定的 IFX 器件有很多额外的特性、例如控制压摆率、我无法评论它将为您的应用需求提供哪些扩展。   

    TI 提供具有集成智能驱动技术的 DRV835x 三相电机驱动器、该技术除其他特性外还包括恒定电流驱动能力。 DRV835x 的额定电压高达100V。 我不确定这是否适合您。 如前所述、恒定电流并不是一件坏事、TI 也不知道这件事。 这只是以合适的成本设置正确的功能的问题。

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    您好、Michael、

     感谢您的评论。  

     对于第一个问题、个人认为共模电感(CM)不能均衡并联 IGBT 的栅极电压、共模扼流圈充当电感器、而不是 IGBT 的共模电流。 如果目的与不同 IGBT 之间的栅极电压相等、则应在 IGBT 或 SiC-MOSFET 之间安装差分(DM)电感器、请参阅上图。 您如何看待或其他任何方法建议? 如果有任何问题、请更正。  

     此外、感谢您对 CM 电感的评论、我很清楚您的用途。  

    BR、

    晓宾(Eric)

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    尊敬的 Eric:

     

    我很高兴看到我可以帮助澄清 CM 电感的用途。 我不确定在您将其称为针对 IGBT 的共模电流工作时、我们的意思是否相同。 我本想把它称为 IGBT 发射极路径中的循环电流。 无论采用哪种方法、TI 都可能不是回答有关 IGBT 使用最佳的问题的合适公司。 TIDA-00917的目的是展示 TI 栅极驱动器产品的功能和性能、并可通过外部 BJT 缓冲级将其增强至15Apk。 为了证明这一点、我们并行添加了实际的 IGBT、并且设计人员使用了常见的设计实践和优化来确保足够好的性能。 要‘优化 IGBT 性能的所有“提示和技巧”,最好自行联系 IGBT 供应商。 我相信每家供应商都有自己的建议、最好地使用他们的产品、包括必要的仿真模型和支持。 很抱歉、IGBT 子系统本身无法提供更多帮助。

     

    此致、

    Michael

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    您好、Michael、

     感谢您的反馈、现在我们将保持在同一页。

     并联 IGBT ((SiC、不限制2个、10个或更多) 发射极 循环电流将 由 CM 扼流圈抑制。 如果同时使用驱动器并联 IGBT、则可以尝试使用差分扼流圈。  

    BR、

    晓宾(Eric)