This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
TI辅助设计软件设计出来的电路输出2A，实际测试只能带36V 1.5A，我想做一个输出4A电流的升压电路，能不能直接使用两个MOS并联来获得，电路图有什么需要改的地方？
亲；原理没问题。可是；这只能保证道路正确。估计你的问题出在PCB上了。建议传图看看。另外，5mohm电阻是啥规格的？
PCB是按照官方DEMO板画的，理论出2A电流，我带24欧负载的时候输出电压已经是35V左右，已经出现带不动负载的情况，MOS管暂时用的是IRF540，Qg是有点大，内阻也比较高，是不是MOS管的选型导致的上述问题。
还有就是我想问如果我用两个MOS直接并联的方式能不能增加输出电流的能力，查看数据手册LM3478的驱动电流能到1A，驱动两个MOS应该是没有问题。MOS的栅极加了隔离电阻和泄放电阻之后情况还是一样，输出电流大小被限制。
5mΩ的电阻官方给的是0612的，我用的是2512的，功率肯定没有问题。输出电流是不是通过减小Rsense这个采样电阻来实现。
谢谢
HI
我觉得带4A，MOS选取很重要，因为芯片的驱动力可能不够，这点您要确认。（不能选择Qg很大的MOS)
其次注意电感饱和电流一定要足够，按照你的功率36*4/0.85/12*1.2=17A.
因为电流非常大，layout将更加重要，输入电容需要多个并联，并且足够大，尽量靠近芯片Vin和电感的输入端，走线要很宽。
还有就是功率路径。
layout非常关键，散热要加强，MOS会很烫
请问怎么来判定芯片的驱动能力是不是能达到呢，我看手册写的是驱动电流是1A，开关电压范围是0.4-8V，我用示波器查看DR引脚的波形，是700多mV的220KHz左右的开关信号，波形在附件手绘了一个，通过哪个外围器件能改变DR引脚的输出能力
现在选的MOS的Qg是37nC@30V,50A，等效电阻≤7.6mΩ，电感是选用的铁硅铝电感，饱和电流暂时是15A的电流，Layout功率线路的线宽>3.5mm，想先达到3A输出电流，这个选择是否可以
如果将PCB上的功率线路不覆盖绿油直接裸露出来铜皮会有什么影响？
直接量测MOS的VDS电压，看它的开关时间有多长
Hi
先带一个MOS看看， 不应该只有0.7V啊，注意芯片Vin的bypass电容尽量靠近芯片Vin（可以到1uF以上），输入电容尽量靠近电感。
尽量找十几nC的MOS， 频率开始的时候不要设置得太高。
选TI的MOS，开关损耗小
