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您好、Antonio、

我希望客户考虑增加拼接电容面积、以实现 Abhi 建议的更高电容值。 同样、Manuel 提到、为了让我们更好地评论 PCB 所需的改进、最好在没有拼接电容器的类似 PCB 上测试发射测试结果的情况下、与我们分享。 排放标准通过要求和最终应用等其他信息也很有用。

如果无法在此处共享请求的信息、则您也可以向我们发送电子邮件。 请告诉我们、谢谢。

此致…

您好、Antonio、

如上文所述、请告诉我们 PCB 尺寸限制是什么。 增加层间电容器的面积是增加其电容并保持隔离栅的最有效方法。

此 PCB 是第一个旋转点、还是先前已根据发射标准对该设计进行了测试？ 如果之前已经过测试、测试数据将有助于确定是否可以在该电路板中使用其他减排技术、而不是层间电容器、例如共模扼流圈或降低电源。


请在您有时间时更新我们；Koteshwar Rao…

您好、Antonio、

我们的 ISOW 专家将在24小时内跟进您的情况、但在此期间、我们想分享一些初步想法。

一般来说、我们希望在30pF 至50pF 或更高的范围内使用拼接电容。 这样、我们就可以很好地抑制更高频率的组件(>~200MHz)。 从这个角度来看、上面所示的1.77pF 电容非常小、并且可能没有那么有效。

一般而言，分立式电容器的问题是 ESL 额定值…

您好、Lynn、

欢迎访问 E2E 论坛！

TI 没有此 EVM 的模型、但电路板上三个安装孔的位置是任意的：它们可以放置在任何清晰的 PCB 表面上。 您是否正在使用 ISOW7841设计电路板？ 我们很乐意推荐改进！


感谢您选择 TI、
Manuel Chavez

您好、先生、

感谢您的大力支持、

Hugo

您好、先生、

如果客户的两个 COM 端口使用一  个通用 VCC 相似的红色区域， 则两个 COM 端口使用一 个通用 GND 相似的绿色区域，以获得更多 Ci >50pF。

这意味着 COM2和 COM3之间没有屏蔽。 有任何风险？ 我们可以这么做吗？

Hugo

您好、先生、

非常感谢、

我有一个来自客户的问题、

如果 GND 和 Vcc 堆叠方法更改为 右图。

然后影响 CI 计算或 性能？

Hugo

您好、先生、

我们有4个来自客户的问题、  

请向我分享您的建议吗？

Hugo

您好、先生、

感谢您 的解释。

我们的客户告诉我、VISO 负载<20mA (5V)、

但对于测试 COM 端口只有电缆、不为 EMI 加电的器件超出规格。

 如果注意"仅 EUT"未连接到任何 DEICE (USB/LAN/RS232/DP)、则 USB/LAN/RS232/DP 连接器位于同一 PCB 上。

它们尝试将 COM 端口金属外壳连接到…

1) 1) 在输入和输出中使用 CM 扼流圈、阻抗大于1K、用于频率。 在重新测试中小于100MHz  

2) 2)根据 TI 的应用手册制作拼接电容。 对于频率 再测试中> 200MHz

3) 3)在这些变化之后、祝您好运。

您好 Hugo、

ISOW7841的发射受布局和工作条件等因素的影响。 您能否提供有关设置的更多详细信息？ 例如、Vcc 和 Viso 值是什么？ Viso 上的负载是多少？

如果使用 本应用报告中的注意事项进行设计、则 PCB 布局可以极大地提高性能。 请鼓励我们的客户查看其电路板布局、以确保如链接的应用报告中所述包含拼接电容器和 y 电容器。 此 E2E 博文中提供了有关共…