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  • RE: TXS0108E输出高电平杂乱

    这个是驱动的具体电路,电平转换输出的5V信号送到PWM LowerA接口

  • RE: TXS0108E输出高电平杂乱

    对DSP(push pull)输出的PWM波进行电平转换,转换成5V输送给MOSFET驱动的输入端。PWM的开关频率为20Khz。输入参考电压连的是3.3V,输出参考电压连的5V。只连接了一个电平转换通道。输出不连接MOSFET驱动时芯片的输入输出波形都正常,连接驱动后输入输出高电平都出现上图内的波动。mosfet驱动芯片手册显示输入电阻为48kΩ,驱动的图如下所示

  • RE: TXS0108E输出高电平杂乱

    您好,
    您是对什么信号进行的电平转换,数据速率是多少呢,可以把电路图附上来吗
  • RE: TXS0108E输出高电平杂乱

     高电平波形放大后是这样的

  • TXS0108E输出高电平杂乱

    Other Parts Discussed in Thread: TXS0108E

    我是用来将DSP3.3V转换成5V送给MOSFET驱动芯片,但是输出的5VPWM信号高电平很奇怪,如图所示。有谁知道原因吗?(DSP端推挽模式,波形正常。芯片输出端直接连接驱动)

  • RE: TXS0108E的延迟参数

    您好,已经确认,这个表格中的tpd参数都没有问题。 1.6ns或者2.1ns都是正确的。
  • RE: TXS0108E的延迟参数

    您好,是的我刚看了下几个版本的,包括之前版本的数据手册,这里的参数都没有变化,所以应该没有错误。
    我这边再确认一下,给您带来不便非常抱歉。
  • RE: TXS0108E的延迟参数

    我刚刚看了,最新的和我上面的参数没有变化,还是一样的
  • RE: TXS0108E的延迟参数

    您好,您参考的不是最新版本的datasheet,请参考最新版本–REVISED MAY 2020的datasheet:

    www.ti.com.cn/.../txs0108e

  • TXS0108E的延迟参数

    各位大佬,小弟最近看0108E的规格书,又有点疑问了,就是一些延迟参数的规律好像有点不大对的样子,可能是小弟知识储备不足,所以特来询问一下

    1、tPLH的参数,

    在VCCA=1.5±0.1  VCCB=2.5±0.2的情况下,A到B的方向,延迟参数最大值为10ns

    在VCCA=1.8±0.15  VCCB=2.5±0.2的情况下,A到B的方向,延迟参数最大值为2.1ns

    在VCCA=2.5±0.2  VCCB=2.5±0.2的情况下…

  • RE: TXS0108EPWR问题

    您好, push pull 是不需要专门设置的,TXS0108E 这款是支持open drain和push pull的IO口电平转换应用的.
    B端输出5V, 高电平达不到5V是吗?Vol正常吗? 可以附上输出波形看下. 有没有上拉10K电阻试试呢?
  • RE: TXS0108E规格书测试频率

    您好,是的,TXS0108E与TXS0104E的测试条件是一样的,感谢您提醒我们注意这个问题,我们将把它添加到勘误表中以得到修正。

  • RE: TXS0108E规格书测试频率

    您好,PRR指的是Pulse Repetition Rate 。 TXS0108E的Pulse Duration和Propagation delay time的测试条件应该也是在PRR<=10Mhz
    的前提下测试的。
    如果您是想咨询TXS0108和TXS0104E能够支持的最大data rate, 在datasheet的首页都分别给出了push pull和open drain 条件下的data rate大小。
  • RE: TXS0108E规格书测试频率

    您好,

    我需要找找TXS0108E的测试条件,我会尽快回复您。
  • TXS0108E规格书测试频率

    Other Parts Discussed in Thread: TXS0108E, TXS0104E

    各位专家,小弟有一个问题想咨询一下,就是0108E的测试延迟参数的频率问题,我看0108E的规格书,它上面没有写测试的频率,这个和0104E的有点不同,所以想咨询一下各位。

    这是0108E的

    这是0104E的,0104E的有说明测试的条件。

  • RE: TXS0108E用于1V2和任意电平转换

    您好,不可以这么用,如果VCCA=1.2V,VCCB=5V,那么就只能实现1.2V和5V之间的电平转换。
  • TXS0108E用于1V2和任意电平转换

    Other Parts Discussed in Thread: TXS0108E

    需求:将 TXS0108E的A端口VCCA供电配置为1V2,B端口VCCB配置为5V, B端口的输入的信号有3V3和5V和2V5三种,

    问题:在上面的VCCB=5V 的配置下,B端口可以同时支持多种电平与1V2的转换吗?

  • RE: TXS0108E 用于1.2V和1.8V之间的电平转换问题

    1. 如果外设内部也集成上拉电阻,那么就需要看TXS0108E的上拉电阻和外设上拉电阻的总的电阻值,即为两个电阻的并联。
    这样的话影响的是Vol,一个强上拉电阻,会导致总并联电阻减小,电流增大,因此Vol也会增大。
    您可以参考这篇关于上下拉电阻对于TXS010x系列器件的影响,里面也给出了加上下拉电阻的测试结果:
    www.ti.com.cn/.../scea054a.pdf
    2. IO口默认不是固定的状态,可以说是高阻态。
    3. 它能支持的最大data rate如下,所以如果您是push pull应用…
  • TXS0108E 用于1.2V和1.8V之间的电平转换问题

    Other Parts Discussed in Thread: TXS0108E

    TXS0108E为一个4输入,4输出的器件,我需要使用其中

    需求1:2个 IO用于实现IIC电平转换,

    需求2:另外1个IO实现单端信号,用于做低速使能等高低电平切换等。

    需求3:另一个Io用于做LVCMOS1V2的单端 30Mhz的时钟电平转换1V2转1V8,

    问题1;TXS0108 E内部有上下拉电阻 ,而IIC的CLK和DATA标准要求开漏,如果外设已经内部已经有上拉电阻了(一个成品设备模块),有什么影响?如何处理…

  • RE: TXS0108E规格书静态电流疑问

    您好,嗯,我认为这里的测试条件应该是和上面IccA和IccB的测试条件一样,Vi=Vo=open。
    下面的Iccza和Icczb的测试条件除了Vi=Vo=open之外,又加上了输出高阻抗的条件,即OE=GND。
    另外,输出悬空,并不代表着输出为高电平。
  • RE: 关于 接口 电压转换芯片 选型 lsf0108 sn74gtl2003

    TXS0108E 是否也可以,我想对比一下,能否给个tina 仿真模型

    多谢

  • RE: TXS0108E规格书静态电流疑问

    请问一下,这个这里的规格书是不是条件写错了,按照理论的话,当VI接个GND的时候,测试的ICC电流值肯定会超过规格书的标准