是啊，我的意思就是，如果按照规格书的测试条件，输出悬空，那就是输出为H了；
然后输入端口有上拉电阻到电源，此时VI接个GND，那电源的静态电流肯定会超过规格书的标准。接VCCI的话就不会。
各位TI的专家，大家好，今天上午在看TXS0108E的规格书的时候，发现一个问题；
就是该芯片的的内部有上拉电阻，可以实现开漏模式，但是规格书的静态电流ICCB+ICCA的电流测试条件有个端口接GND的情况，那这种情况，就算内部上拉电阻40K，拿=那1.2V的情况也有30uA，也明显超标了。这种情况规格书怎么还写了最大8uA？
TXS0108E的使能引脚是OE端，应该参考的是VCCA。如果我想这个芯片在供电情况下一直处于被使能状态，能不能直接把OE连接到VCCA，是否还需要加上拉、下拉电阻之类的。。
如果加电阻的话，需要多大？
比如我们常用的I2C接口，就是开漏架构，而SPI就是推挽。
都不需要设置，比如您需要实现I2C接口的电平转换，那么因为I2C为开漏输出，所以TXS0108 能支持的速率为1.2Mbps，您的I2C速率如果为400Kbps<1.2Mbps，那么就可以使用TXS0108。
TXS0108E的最大数据速率，是怎样设置的，通过硬件电路设置的吗，没搞明白，求不同速率对应的电路图，谢谢！
– 110Mbps（推挽）
– 1.2Mbps（开漏）
Iol和Ioh这两个值在手册里哪儿有明确的说明了？比如我选用的TXS0108E这块片子，我想知道，每个通道的驱动能力。谢谢！
在产品主页的Quality&Packgaging部分里有：http://www.ti.com/product/TXS0108E/pinout-quality
不知您的信号速率是多大的？ 如果还是需要不带方向控制位的电平转换器件，可以看下LSF0108.
带方向控制位的话，速率能支持的高一点的，可以参考SN74AVC8T245。
TXS0108E是双向buffer，且不分方向的，那这个管脚的输入输出是如何判断的，毕竟Rpua和Rpub的阻值是根据输出高低来判断的
TXS0108E内部的One-shot是单稳态，只能短时间打开后端的mos，那输出端的高低是怎么维持的了，这个内部的Npass（Nmos）是怎么使用的
设计使用TXS0108E时，B端为输入，A端输出，输入端一驱二连接连个管脚，OE上拉至VCCA。一驱二A端输出一路上拉4.7k到MCU的IO…
转换的是SPI 信号吗？TXS0108能够支持的最大data rate为110Mbps，所以要看下您的SPI信号速率多大，是否TXS0108能够支持呢。
做了一个转接板用于烧录Flash。Master是FT2232，IO电平固定为3.3V，Slave是一个FPGA外挂的Flash，IO电平是1.8V。所以需要一个电平转换芯片。
采用的是TXS0108E，8通道双向电平转换，用的是datasheet里面的典型电路，VCCA=1.8V，VCCB=3.3V，两边无上拉。
结果发现SPI识别不到设备，不知道是否是TXS0108E速度太低导致…
Because there are internal pull-up resistors, I would recommend leaving all the unused pins unconnected. Connecting to GND may increase the current flow through the device.
