各位大牛，你好

我在使用CAN刷写的时候出现一个问题不能理解， 通过Debug口重新刷写boot程序后，点击运行，然后直接通过CAN 来刷写app程序是成功的。但第二次接着刷写或者重新上电刷写app都不成功，请问会是什么原因呢？

另外在出现这个问题时候发现FMSAT寄存器0x30, Invalid data 故障是什么意思呢？ 这个Invalida data 哪里来的，对比了 在调用库文件刷鞋驱动时候要刷写数据是没有区别的。

大家好，

我在使用F021库操作flash的时候，进行flash擦/写操作时，按照说明文档给的步骤，第一步应该是初始化flash的bank，调用API：Fapi_initializeFlashBanks()。但是在进行这一步的时候，出现了错误，详情如截图所示。返回了错误：Fapi_Error_InvalidHclkValue (failure: System clock does not match specified wait value)。

但是很奇怪的是，明明是一模一样的程序，之前配置好之后也一直正常使用…

hi there,

Fapi_issueProgrammingCommand() 使用Fapi_AutoEccGeneration模式，请问使用Fapi_AutoEccGeneration模式时候参数pu8EccBuffer和u8EccBufferSizeInBytes需要设置吗？

thanks

各位大神！我在调试TMS570LC4357内部flash时，发现flash的bank0和bank1一上电内部就随机分布一些数据，这些有数据的地址无法正常擦除和写入数据，我目前想操作bank1，但上电有数的地方我无法操作，请问这个问题怎么解决？

麻烦各位大神指点！

你好，我想咨询一下，我用safety diagnostic library初始化了flash的ecc功能，库中有函数或者有其他办法可以软件触发ecc错误使esm模块响应吗？SL_SAELFTEST_FLASH函数可以通过参数设置实现触发ecc的错误码？

我使用的是RM48的开发板，HALCOGEN生成的驱动库，添加了safety diagnostic library

如下图所示，我写进去的数据是全是1（共1024个），但是读出来的数据却全是0，一开始 我怀疑是写进去的没成功，但是通过取址操作是可以看到写入的地址是已经变1了，所以是不是这个官方的读写函数有问题啊？还是说我哪里操作有误？

为了验证是不是写入成功的，通过以下取址操作证明了写入是成功的

所以感到很奇怪啊？

我使用tms570ls0714芯片，定义了一个全局变量并赋初值用CCS编译后，那这个变量在flash中的地址及ram中的地址有什么计算关系没有？

用HALCOGEN配置FEE的时候有个block size，以前做C2000理解的block size代表含有几个扇区，现在这个是什么意思，block size默认配置8位代表什么意思，后面的data sets什么意思

还有一个问题在HELP TOPIC看到的例程，有格式化某个block的API TI_Fee_InvalidateBlock(BlockNumber); 也有格式化整个ban7的API TI_Fee_Format…

能用JTAG协议对TMS570LS1113的内部flash进行读写操作吗？

4207只能使用 F035API么？ 

执行代码为

Erase_flag = Flash_Erase_Sector_B((UINT32*)START_ADDRESS,4,FLASH_CORE0,FLASH_SECT4,40,(FLASH_ARRAY_ST)FLASH_CONTROL_REGISTER_ADDRESS);

START_ADDRESS = 0x20000 

要擦除bank0 的Sector4 ，大小随便写的 

FLASH_CONTROL_REGISTER_ADDRESS = 0xFFF87…

大家好，我用CCS7.2烧写程序时出现如下错误：

红色部分的字为：

CortexR4: Error: (Error -1170 @ 0x0) Unable to access the DAP. Reset the device, and retry the operation. If error persists, confirm configuration, power-cycle                       the board…

在使用F021 API 对TMS570LS1225的EEPRoom进行读写的时候发现只有先写入数据才可以读出来数据，但是一掉电读取的数据都变为0，不知道是什么原因。调用api初始化函数时不知道会不会格式化EEPRoom，以下是初始化函数和调用的函数：

void epp_init(void)
{
/* Initialize FEE. This will create Virtual sectors, initialize…

我在应用RM42L432时，遇到用F021 Flash API 写E2PROM失败。(在写之前已经成功擦除了E2PROM的Sect 0)

代码如下:

void e2prom_program(void)
{
    uint8_t dbuf[8] = {0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7};
    uint8_t eccbuf[2] = {0, 0};

    Fapi_StatusType oReturnCheck = Fapi…

我用tms470MF04207  boot程序在bank1中sector0中，把app写入了bank0中的sector3（0x10000）中

用((void(*)(void))App_start_Address)();执行跳转，后报Usage_Fault()

请问 我是否有什么地方设置不对，还是哪的问题？ 

我自己写的项目，直接用的F035的API。 只用了擦除和写入。

我用4207 编写的bootloader程序  

bootloader程序VECTORS放在了0x0到0x100里  执行程序放在了bank1的0x80000 开头了 

主程序VECTORS放在了0x10000到0x10100中，程序放在了0x10100开头 

两个工程的CMD修改了，但是两个程序的sys_intvecs.asm没有修改

现在boot完能够跳转到绝对地址0x10000,但跑起来就会进入_Usage_Fault()中

请问两个程序的sys_intvecs.asm需要配置么，该如何配置？

在开发中发现，这个仿真EEPRAM的操作基本跟内部FLASH一样，包括写入前要按照擦除，可以按照字节读取等等，那么请问：这个EEPROM和内部flash的区别主要在哪儿？

CCSdubug程序时，flash擦除的时间过长（两分钟），如何设置可以加快？

   TMS570LS3137选用串口加载的时候，是不是一定要用GPIOA7来使能加载模式呢？用其他的GPIO可以吗？比如说GPIOA1,A2等。如果可以的话我需要改官网的bootloader的哪个部分呢

根据FLASH201的reference guide文件中的擦除的流程来操作flash，调用API的函数后，程序就跑飞了。并且例程中的操作也是这样写的，那我的操作步骤应该没有问题。但是程序为什么会跑飞呢？求大神解答Ծ‸Ծ

论坛的各位，大家好：

      我们需要对FLASH进行二次编程，使用TI提供的API函数，但是在使用API函数却出现了问题。我们使用的是RM48芯片。  如下

首先选择API库

2. 连接时出现下面问题

这是怎么回事？ 

Hi

1、在RM42L432的manual中，4.1.2项 FEE模块的描述中 有erasable by the  world while the flash is erased by sector

2、在网络资料TI Hercules开发实战手册中第43页，明确说BANK7可以用word为单位擦除

但是在F021的API中，Fapi_FlashStateCommandsType没有发现word为单位的命令。

所以想…