TI 的非隔离式半桥驱动器不会在内部为高侧通道产生偏置。相反,它们使用外部自举电路来保持高侧偏置。但是,在使用 100% 占空比时,自举电路无法为高侧通道提供偏置,因为它依赖高侧和低侧 FET 的开关来为自举电容器充电以保持高侧偏置:当高侧 FET 关断且低侧 FET 导通时,电容器 CBOOT 将重新充电(图 1),然后在高侧 FET 导通且低侧 FET 关断时,该电容器将放电(图 2)。有关自举电路的详细信息,请参阅此应用手册: https://www.ti.com/cn/lit/pdf/sl…