如题，请ti的专业工程师支持下，谢谢！

请问电芯化学id编号为啥少了2243——3099

请问我们在使用TPS48111作为高边开关应用时，触发过流保护芯片进入保护关断输出，但是发生电流降低到0A以下后输出端的电压值突然有了一个尖峰(其中蓝色为保护发生时的负载电流变化，黄色线为输出端的电压值，绿色线是PD和PU的值)，请问这个振荡尖峰怎么理解及怎么消除

按照Datasheet里面的Typical Application Circuit进行设计，想让VCC-+5V转化成-5V电压，其中的电阻和电容均使用的0603封装贴片元器件。电感使用的是22uH 0805封装的贴片电感，使用直流电压源供电后，电路电流先为500mA的电流。稳定后电流为300mA，在调试过程中尝试过将NFB引脚悬空。验证过三次，其中两次是配合LDO使用，有一次是空载单独测试，多次测量最后得到的输出电压依旧为-0.4V，请问该如何解决这个问题…

Hi TI，

我们产品使用的电池为两串最高电压8.8V的锂电池。
在接入PC或hub的时候，VBUS为5V，可以进行5V500mA的充电。
接入PD适配器后，当VBUS升压到15V后，电流为几百uA，可以认定为没有进行充电。
分别打印正常充电-异常充电的寄存器和PD充电前-PD充电后的寄存器，并没有发现什么异常:

我们抓了VBUS和CHRG_OK的波形:

蓝色:VBUS
黄色:CHRG_OK

后面我们有做过其他实验:当接入PD充电头后，让PDControler不要请求那么高电压…

tps25942a的pgood引脚手册说有去闪烁功能，但是仿真发现去闪烁消隐不起作用，麻烦官方工程师仿真验证！

GaN on Si和驱动电路都是长在一片wafer上吗，还是不同的wafer通过一定的手段和GaN封装在一起

1.TPS65994BHRSLR 当VBUS先供电时，PD会进入dead battery状态，请问有什么办法可以让在VBUS先供电PD不进dead battery状态么？

2.如果PD在VBUS先供电的时候PD一定要进入dead battery状态，请问是不是把状态清楚后就可以正常工作？偏移地址是多少（Ox20么？）？

This question is about LP8865Y-Q1 buck-boost application，

The output capacitor connected from LED+ to GND，seems different from other general IC design， for example， TPS92692…

工程师你好，

我们选用TPS552892做demo板，输出电压设定为12V，原理图如下所示，电感为4.7uH，IDC为4.5A。

输入电源：KEITHLEY 228S-32-6，负载为电子负载：IT8511。

下图灰色的为第一版layout布局位置和TI 给的demo板位置一致，但并没有在C4、C5、C16、C17之间打很多过孔。

目前上电带负载时，MLCC电容会出现不明显的啸叫，我尝试调整过FSW和SYNC效果并不明显，且在输入不同电压会有1%的输出电压偏移…

你好！
有个案子在Intel Amston Lake 平台上使用TCP转TypeC接口，支持USB+DP功能，使用方案：TPS65994BH+TUSB1044IRNQT
1 PD FW如附件资料，
2 遇到显示兼容性问题，SI信号测试没有问题
3 我们有量测显示与不显示屏的I2C参数，PD与Retime I2C数据，资料如附件
4 如下2款不显示： MSI PS341WU LG 34WK95U
   如下2款能显 ： Redmi RMMNT27NU AOC…

1：If the battery is in the ‘SHIP’ mode and gets inserted into the device (the charger is not plugged into the device), my understanding that the battery may wake up, if the device leakage current (120uA - ?) produces voltage across…

您好！

      在电量计Learning Cycle过程中，我先放电，静置5小时后充电，在充电的过程中，电芯电压还没达到保护值，两次都因为RemainingCapacity() ≥ FullChargeCapacity()而保护，设计容量是25200mAh，我想知道FullChargeCapacity的初值来自哪里？可以设置吗?怎么解决这种异常。

我这边用BQ34Z100做一个7串项目，温度采样外部温度，放在恒温箱里面，恒温箱设定-40度，静置4小时后，用Battery Management Studio看显示温度最低为-30度，温度一直下不去，温度NTC为火柴头，10K,1%误差，B=3435,我实测恒温箱实际温度为-39度；单独拿NTC实量在-39度温度下阻值为200k左右，查了NTC阻值温度表，-39度对应的阻值为199.8k说明温度采集是正常的，不知道什么原因BQ34Z100在低温显示温度和实际温度差异这么大…

在用I2C读取LP8866S的芯片状态，检测PWM输入输出占空比状态，当软件设置PWM占空比为50%时，寄存器PWM_INPUT_DIAGNOSTICS 的值为 3380，与预期不符合，想请教一下为什么不正确。附串口输出的检测到的各寄存器状态值：

你好 请问下使用这款控制芯片，发现模拟量输入为0时，灯珠仍然存在微微亮现象，是否和电阻R104 R69等取值不符合要求有关？

Hello，我们的一个板子上使用LM2936Z-5.0/NOPB，但发现这个LDO输出值有异常。不同的批次输出值有差别，有的可以输出很稳定的5V，如5.023V；但是也存在其他批次，输出值偏高，我特别从TI申请了样片，也存在此问题，可达到5.544V，远超出元件的规格。

电路上，5V输出用于给光耦HCLP7840的VDD1供电，从光耦的规格书看，IDD1的典型功耗是10.86mA，符合LDO的供电范围。电源输入值为24.83V。

麻烦看看是什么原因？谢谢…

Ti工程师们你们好，

LM62440-Q1电源在启动瞬间产生正向rush的2ms后，产生反向rush导致电源输出电压被拉低。请问该现象是否属于正常现象，产生该现象是什么原因导致的

您好，

      我Single Device Read/Write和器件B0通信时，我用的Device Address 是1，按照手册Device Address应该是0，这个该怎么解决，会是导致后面器件无法通信的原因吗?自动寻址流程是否需要改动？

以上这是原理图，请问是有什么设计上的问题吗

各位专家好，

我们使用了TPS65987D+BQ25723的设计方案，充电功能测试正常。

现在我们遇到一个问题，我们的板卡功耗接近15W，在接电池的情况下通过USB连接PC主机时，会有一部分主机提示USB电涌。

BQ25723的电源路径应当是外部适配器优先给系统供电和电池充电，但是在未提示电涌的PC设备上，应当是Psys=Pvbus+Pbat。

请问能否使用一些方法禁用连接PC主机时的供电…

fig.1  fig.2  fig.3

Hello,I encountered some issues while using the TLV61048.Figure 1 shows a three-level boost circuit,and Figure 2 illustrates the driving power supply scheme for the circuit topology MOSFET S1a and S2a.The power…

您好，在测试TPS23754作为控制芯片组成的反激电源时，在开关MOS漏极侧测到了明显波动，电源使用了RCD吸收电路、非同步整流的输出形式，图上的波形是12.5V 0.8A输出时测得，测试发现在电流低时也存在波动，且波动时间更长，但栅极没有明显的波动，且波动开始时间没有在开关过程中，但电路输出好像没有明显的问题。

黄线是MOS管漏极波形，蓝线是MOS管源极波形

黄线是MOS管栅极波形，蓝线是MOS管源极波形

想请问一下这个是什么引起的，需不需要解决…

I referenced both "Minimizing Buck-Boost (Inverting) Converter High-Frequency Switching Noise"(https://www.ti.com.cn/cn/lit/pdf/slva219) and "Working With Inverting Buck-Boost Converters"(https://www.ti.com…

用的芯片是TPS61165TDBVRQ1，用来给液晶屏背光供电的，手册规定输入的PWM波频率是5KHz--100KHz，但我们发现，频率高于500Hz时，改变PWM占空比，输出电压无法变化。请问这大概是什么原因？