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Santosh、 如果您不喜欢电平转换器、可以选择其他栅极驱动器、例如 LM5109B (半桥栅极驱动器、因此全桥需要两个)、其中 VDD 高达14V。 功率 MOSFET 将保持 CSD19534Q5A。
但是、请确保您的12V PWM 信号的开关阈值与 LM5109B 数据表中的3.3V TTL 输入电平阈值兼容。
此致、
Martin
您好 Kato、
感谢您关注 LM5109B。 我是 TI 高功率驱动器领域的应用工程师、将负责回答您的问题。
LM5109B 应用具有从 VDD 上升到的延时时间的 HB 时不会出现问题。 我对该应用确实有一些疑问。
大多数应用为高侧提供自举电源、并在 VDD 和 HB 引脚之间连接一个二极管。 当低侧驱动器输出变为高电平并且 HS 引脚切换至接地或 VSS 电位时、HB…
您好 Doug、
我是一名支持高功率驱动器的应用工程师、与 Richard 一起工作。 Richard 是外出度假的、所以我将帮助回答这个问题。
与规格 tMON 和 tMOFF 匹配的传播延迟考虑了器件在工作范围内传播延迟会出现的任何变化。 请参阅图1的左侧图像以及图7中的图、这两个图均位于 LM5109B 的数据表中。 此外、由于最小匹配为0ns (完美匹配)、因此表达式简化为仅最大匹配…
您好 Evan、
对于您提出的第一个问题、LM5109A 对 LM5109B 进行了改进。 LM5109B 的变化可确保在 VDD 降至工作点以下时、高侧驱动器被强制进入低电平状态。 因此、在 可能出现 VDD 下降且 VHB 仍然处于高电平的情况 下、LM5109A 可能会使高侧输出保持高电平状态。
由于 LM5109A 和 B 具有相同的参数、并且 VDD 的瞬态条件在功能上有所改善…
您好、CAN、
栅极电阻的值根据应用所需的开关时间、MOSFET 的参数(Qg)和其他注意事项(包括功率器件 VDS dV/dt)而变化。 通常、在电机驱动等低频应用中、栅极电阻可以在10至30欧姆之间变化、以降低 EMI。 在电源转换器中、栅极电阻通常要低得多、以缩短开关时间。
此处提供了有关选择栅极电阻的一些指导的良好应用手册：
我们应该为我们的应用选择什么栅极电阻值？
此外、是否有任何推荐的与栅极电阻器反并联的二极管模型？
您好、Allen、
感谢您的提问。 我在高功率驱动器组的应用团队工作。
提供高侧偏置电源的最常见方法是通过自举电源。 请随时阅读下面链接的应用手册、以更好地了解自举电源的工作原理。
http://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf
如果这回答了您的问题、您可以按绿色按钮吗？ 如果没有、请随时提出更多问题。
谢谢、此致、
John…
您好！
我想知道如何控制 HO 和 LO 的输出电压、因为我需要 HO 时为48V…
您好、CAN、
为了保护 IC 免受开关节点上可能的瞬变的影响、有一种常见的方法来限制驱动器 IC 开关节点上可能的负电压尖峰。
在从 MOSFET 开关节点(HS 源极和 LS 漏极)到驱动器 HS 引脚的连接中添加一个电阻。 我建议该电阻的初始值为5欧姆。 此外、在驱动器 IC HS 引脚和 VSS (接地引脚)之间添加一个肖特基二极管。 将二极管靠近 IC 引脚放置、以便最有效地限制…
非常感谢您的回复。 很抱歉、我将 CSD18537NKCS 用于 MOSFET、而不是 BSC160N10NS3。 此外、我可以在电路上使用任何保护措施吗？ 由于电机确实具有电感、我担心断电时、电机会产生高电压并施加到 HS 节点。 我想知道我是否可以在电路上应用任何保护电路来保护我的 IC 和 FET。 此外、对于时间常数、我应该使用大于19ns 或小于19ns 的时间常数吗？…
您好、CAN、
感谢您提供原理图。 我看到 BSC160N10NS3是19nC 的相对低栅极电荷、有效电容为1.9nF。 100nF 的启动电容 足以为 MOSFET Qg 充电。 但是、由于电机驱动器频率较低、请参阅 LM5109B 数据表中的第8.2.2.1节、以根据工作频率确认启动电容。
此外、由于 MOSFET Qg 对于许多电机驱动应用而言相当低、您可能希望在初始测试中将栅极电阻增加到20…
