请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
您好、Timur、
驱动器的电阻将决定驱动器上直到驱动器峰值电流额定值点的压降。
当驱动器达到峰值电流限制时、在峰值电流限制下、驱动器开关上可能存在满偏置电源电压。
例如、如果驱动器输出端有一个大电容、则当您打开时、驱动器上会有全电压、但电流限制为驱动器峰值电流额定值。
确认这是否回答了您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、
您好、Timur、
驱动器的电阻将决定驱动器上直到驱动器峰值电流额定值点的压降。
当驱动器达到峰值电流限制时、在峰值电流限制下、驱动器开关上可能存在满偏置电源电压。
例如、如果驱动器输出端有一个大电容、则当您打开时、驱动器上会有全电压、但电流限制为驱动器峰值电流额定值。
确认这是否回答了您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、
您好 Richard、
因此、任何输出电流下的电阻都是恒定的、而变化的位是其两端的电压？
正确吗？
您好、Timur、
我认为您参考的是以下帖子回复：
"感谢您关注 LM5109B。 我是高功率驱动器组的 AE、将回答您的问题。 高电平状态和低电平状态下的驱动器输出电阻可由 VOLH 和 HO 输出的 VOHH 以及 LO 输出的 VOLL 和 VOHL 决定。 这些电压在100mA 测试条件下进行测试、因此电阻是电压规格的10倍。 每个驱动器的 LO 和 HO 参数相同…
Pavan、
H-Drv 信号看起来不正确。 您能否确认 PWM-HI 测试点是否与 H3-1上的活动相对应？ 如果不是、请检查 R14电阻器。
如果 PWM-HI 活动与 H-Drv 不匹配、那么您可能会遇到 U1 (LM5109B)问题。 如果是这种情况、我建议在保修期内申请更换电路板。 否则、您可以尝试自行更换组件。
Tommy
Richard - San、
感谢您的评论。
此致、
Akihisa Tamazaki
您好、Akihisa、
感谢您为客户提供 LM5109B 支持。
我将回答客户的问题并提出建议。
对于问题1：我们不能建议超过数据表中的绝对最大额定值。 我将建议进行更改以降低电压尖峰、或确认测量中的感应电压是否高于实际值。
对于问题2：在高侧导通之前、似乎正在发生 HB-HS 尖峰。 虽然示波器图未显示过多的负 HS 电压尖峰、但在某些情况下、当低侧 FET 关断且 HS…
您好、Hsu、
理论上、只需更改感应电阻器即可获得25A 充电电流、但我们建议电流最高为10A。 原因在于充电电流较高、因此需要具有高 Qg 的额定体积更大的 MOSFET。 内部栅极驱动强度很可能不够强、无法驱动这些外部 MOSFET、并且由于打开和关闭 HSFET 和 LSFET 产生的开关损耗增加、导致效率降低。 可以包含外部半桥栅极驱动器以提高内部栅极驱动强度(例如 LM5109b…
您好、Lin、
TI 不会使其与具有 用于电机驱动的功率 MOSFET 的 AM2861直接等效。 LM5109B 是一种用于电机驱动的栅极驱动解决方案在许多应用中、CSD18541 N 沟道 MOSFET 是一种非常小的 MOSFET 解决方案、应类似于 AM2861内部 FET。
确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、
尊敬的 John：
我们将按照您的建议添加滤波器和电阻器、谢谢。
是的、我们需要将 MCU 与高功率逆变器电路进行基本隔离。
我们将研究 UCC21220 、看看它是否符合我们的标准。
信息帮助很大，谢谢你的友好支持！！！！
尊敬的 Alex：
原理图看起来不错。 我仍然建议为您的输入添加滤波器。 我还建议为每个 FET 添加栅源极下拉电阻器(~10kOhm)。
在此设计中使用隔离器有什么特别原因？ 您的系统需要基本隔离还是仅用于功能隔离？
我提出这一问题是因为我们有多个隔离式栅极驱动器、它们将隔离器和栅极驱动器集成在同一个 IC 中。 与单独的隔离器/栅极驱动器组合相比、这些器件的性能要高得多…
尊敬的 John：
这是一个不同的设计文件、我们正在尝试不同的驱动程序。
请查找随附的 LM5109B 原理图文件、请提供相同的注释。
另请注意、我们使用了高速光耦合器"HCPL-0531-500E"、而不是设计中显示的"TLP-292"。 这是为了克服开关速度限制。
此外、由于您无法打开 kicad 布局文件、我尚未附加它。
…尊敬的 Alex：
这些文件是否是您最近的文件？ 半桥似乎由 IR 部件驱动、而周围电路与您之前连接的电路不匹配。 请理解、我无法评论竞争对手器件的应用。
我也无法打开 KiCad 布局文件。 我建议阅读本应用报告并遵循中的最佳实践。
http://www.ti.com/lit/an/slva959a/slva959a.pdf
如果这有助于回答您的问题、您可以按下绿色按钮吗…
尊敬的 Alex：
感谢您提供参考设计。
我认为他们使用这些 MOSFET 来实现低 Rdson、这将显著降低传导损耗、从而使设计人员不使用散热器。 如果您正确散热 TO-220 FET、则无需将其并联即可达到5Arms 的工作电流。
查看以下博客文章、了解有关电机驱动系统热设计的更多信息：
尊敬的 John：
感谢你的友好和快速的回应！！！！
根据您的建议、我将在 HI 和 LI 上放置滤波器。
我参考了以下链接中提供的"汽车48V 1kW 电机驱动设计"：
如果您注意到、即使电机的额定电压为1KW/48V、使用的 MOSFET 的额定电流也为197A [20A]。
如果您能让我了解如何计算电机的…
您好！
感谢您关注 LM5109B。 我在高功率驱动器组的应用团队工作、可以帮助您解决问题。
您的原理图没有任何明显的故障。 我建议在 HI 和 LI 上放置滤波器、以防止噪声损坏您的输入信号。 这可以是一个简单的100pF 和100欧姆低通滤波器。
我有几个问题：
为什么要使用并联 MOSFET？ IRF3415可处理30A 连续电流、您的电机的额定电流仅为5A。
…尊敬的 Kevin：
感谢您对本视频中的波形以及以下波形的澄清。 您能否确认3V 是否是测试期间在 LM5109B VDD 上看到的最低电平？ 在这种情况下将触发 UVLO、LO 和 HO 输出将不会激活。
需要考虑几个因素、并尝试解决 VDD 压降问题。 尽管 UVLO 为~5V、而不是3V、但有一个更新的具有较低 UVLO 的100V 半桥驱动器可能会有所帮助。 UCC27282是一个可能有所帮助的选项…
