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这是我的原理图、您能告诉我是否需要为我的电路添加任何保护功能、或者电路的哪一部分出错了？ 由于我的电路现在已损坏、我必须等到我的订单出现后才能向您显示示波器图像。
这是我的原理图、您能告诉我是否需要为我的电路添加任何保护功能、或者电路的哪一部分出错了？ 由于我的电路现在已损坏、我必须等到我的订单出现后才能向您显示示波器图像。
您好、CAN、
感谢您关注 LM5109B。 有许多情况可能会导致栅极驱动器过载、从而导致器件损坏。
我首先确认 IC 引脚上的电压处于器件额定值范围内、例如 VDD 至 VSS 为8至14V、HB 至 HS 小于14V、HB 至 VSS < 90V。 确认功率 MOSFET 的时序正确、以便 LO 输出和 HO 输出之间以及高侧 Vgs 和低侧 Vgs 之间存在死区时间。…
您好、CAN、
感谢您关注 LM5109B。 我假设 eGeGLE 是 Autodesk 支持的 PWB 布局工具。
提供了3D STEP 和 BXL 文件模型。 BXL 是一种可以使用各种 CAD 工具导入的格式
LM5109B 文件的链接可在此处找到：
您好、Timur、
感谢您关注 LM5109B。 我是高功率驱动器组的 AE、将回答您的问题。 高电平状态和低电平状态下的驱动器输出电阻可由 VOLH 和 HO 输出的 VOHH 以及 LO 输出的 VOLL 和 VOHL 决定。 这些电压在100mA 测试条件下进行测试、因此电阻是电压规格的10倍。 每个驱动器的 LO 和 HO 参数相同、典型下拉电阻为3.8欧姆、最大为6…
您好 Richard、
谢谢你
您好、Timur、
我不确定这个确切的器件型号 X 后缀是否适用于与指定器件数量2500相关的所有 TI 器件。 TI 拥有超过12、000种产品、这些产品已推出多年。 我会始终确认器件数据表末尾列出的可订购器件型号。
此致、
Richard Herring
谢谢！
此原则是否适用于所有 TI 器件？ 我的意思是 X 代表2500个数量、因为我在其他一些产品上看到了相同的标签。
您好、Timur、
感谢您关注 LM5109B。 数据表末尾的"封装信息"下是可订购器件型号列表、其中显示了可订购器件、状态、封装、封装数量以及包括器件标识在内的其他参数。
LM5109BMA/NOPB 和 LM5109BMAX/NOPB 是具有 L5109BMA 器件标识的同一 IC 器件。 不同之处在于、LM5109BMA/NOPB 的封装数量为95…
您好、Abhi、
感谢您关注 LM5109B。 我是高功率驱动器组的 AE、将回答您的问题。
驱动器可支持的栅极电荷的主要考虑因素是栅极驱动器的功率耗散以及由此产生的温度上升。 请参阅 LM5109数据表 http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5109b.pdf 第8.2.2节详细设计流程。
从散热角度而言、驱动给定栅极电荷的能力取决于所使用的封装…
您好、Abhi、
为了帮助我们更好地管理我们的通信响应、如果我们可以关闭此主题、当您准备好附加信息后、您可以在该主题上发帖。
此致、
Richard Herring
您好、Abhi、
每当您有其他数据和问题时、发布信息、我们将提供帮助。
此致、
Richard Herring
我正在拍摄 CRO 快照。
一旦我得到、我将在这里发帖。
尊敬的 Abhi：
我们一段时间没有收到您的意见、我们必须假设您已解决问题、因此将此主题标记为"已解决"。 如果是、请单击绿色按钮并分享分辨率以供其他 e2e 用户学习。
如果问题仍未解决、请通过进一步发布到此主题告知我们、我们将乐意提供帮助。
谢谢。
此致、
-Mamadou
您好、Abhi、
感谢您关注 LM5109B。 我是高功率驱动器组的 AE、将帮助解决您的问题。
从描述中可以看到、您已经确认了控制器的 PWM 输出和驱动器的栅极驱动信号。 对于2us 死区时间、不清楚为什么您会看到 VCC 到接地短路。
如果未应用 PWM 信号、您是否确认增大 VCC 没有问题？ 电路板上可能会出现意外错误、导致从 VCC 汲取过多电流。
假设电路板连接和元件正确…
您好 Richard、
感谢您提供有关 MOSFET 的清晰概念。
我们更改了 MOSFET 并使用了 CSD19534KCS。 我们设法使用10nF 栅源电容消除了栅极上的干扰。
我们将首先测试这款具有电阻负载的三相逆变器。
对于接地噪声、我将尝试在 HI 和 LI 上添加 R/C 滤波器。
谢谢、
Ishan
Alex、您好！
感谢您提供更多信息。 对于您提到的 MOSFET、与17nC 的 Qgd 相比、我看到栅极电荷在98nC 的 Qgd (栅漏极)上具有很大的权重。 这意味着米勒电荷会对 Vgs 产生很大影响、因为栅漏与栅源极之间的比率很高。
为了获得有用的建议电容、17nC 的 Qg 与10V 的 Vgs 一起、这是一个1.7nF 的等效电容、如果您想要平衡 Qgd 和 Qgs…
您好 Richard、
感谢您的立即回复！！！！
LM5109B 的 VDD 电压为10VDC。 如果您看到示波器图、则所有电平均高于8VDC。
正如您所说的，0001和0002上的干扰最为令人担忧，并且是由米勒电荷引起的，那么您是否会考虑更改 FET？
由于这种干扰、只有逆变器电源短路。
我们将检查给定点的布局。
我们将增大栅极驱动电阻并进行检查。
我们应该在 MOSFET…
Alex、您好！
感谢您关注 LM5109B 半桥驱动器。 我是高功率驱动器的 AE、将回答您的问题。 感谢您提供示波器图、我将根据这些波形提出一些意见和建议。
我有一个问题、栅极驱动振幅似乎为~5V、您能确认 LM5109B 驱动器的 VDD 电压吗？ 数据表建议 VDD 范围为8V 至14V。 栅极驱动器栅极驱动强度 随着 VDD 的降低而降低、并且有可能会关闭 UVLO…
