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尊敬的 Kuan Wei：

我认为 webench 考虑了 LM5118内部的以下损耗：

(1)栅极驱动电流：Igate=2 x Qg x Fsw、其中 Qg 是每个 MOSFET 的总栅极电荷、而 Fsw 是开关频率
(2) VCC 稳压器：它是一个 LDO、其输入电流为 Igate、因此总损耗= Vinmax x Igate
(3)其他 IC 功耗= Vinmax…

您好！

是的，我的系统负载需要连续3A DC。
好的、TPS 系列不支持 LM25118和 LM5118稳压器。
我已经对所有3个地雷案例进行了一些模拟，结果如下。
LM25118
3.5V-4.2V5V、3A100mV 至200mV
6.7V-8.4V5V、3A5mV 至10mV
12V5V、3A
LM5118
3.2V-4.2V5V、3A200mV 至300mV…

您好、Karthik、

感谢您考虑 LM (2) 5118。 对于您的用例、由于所有电压都很低、因此您应该使用 LM25118、这是 Lm5118的低电压版本。

要在两篇帖子中回答您的问题：
(1)是的、您可以将 UVLO 保持浮动、但您将失去 UVLO 关断控制。
(2)是的、您可以通过外部源将其上拉。 我希望您在上拉源和 UVLO 引脚之间插入一个1k 至10k…

e2e.ti.com/.../BOM_5F00_COMPARISION_5F00_LMSERIES.xlsHi、

在这里、我有3种不同的输入范围、即3.5V 至4.2V、 所有这三种器件的6.7V 至8.4V 和12V 直流电源输入、我想使用一种通用的单电源设计。因为我在 Webench 中分别针对3种不同的输入进行了仿真、并提供了3种不同的 BOM、所以现在我应该考虑对这些器件的值…

尊敬的 Kuan Wei：

效率可能会受到许多因素的影响、包括布局和组件选择。 您可以稍微降低开关频率、以节省0.3W 损耗。

谢谢、
Youhao Xi

尊敬的贾斯珀：

客户已经 自己构建了评估板、因此您的评论在这段时间内对他们非常重要。

他们测试了效率、但不确定与 在40V 期间效率最高的 Webench 结果相比、40V 效率较低的原因。

我的评论是40V 电压较高、这会导致较高的导通损耗、因此效率如此低的原因可能是他们选择了高 RDSon MOS。

您对提高效率有什么意见吗？

BTW、您是否有任何建议来降低 LM5118本身的损耗…

尊敬的贾斯珀：

感谢您的建议。
如果客户 Vo 可以是51~54、LM5118能否仅在51V 以下运行？
如果 Vo 高于51V、则仅通过、无开关。

BR
Kevin

尊敬的 Kevin：

电感器磁芯的材料为铁、可能不适合高频应用。 请与电感器供应商核实 LM5118的可接受频率以及开关频率

你好

感谢您共享该文档。

您能不能澄清一下、您提供的 LM25118计算结果是否相同。 因为您已经为 LM5118提供了它。

请帮助我解决这一问题。

此致

Nidhi P Shetty

没有听到您的回声。 此问题是否已解决？

100%占空比听起来很奇怪。 您能否向我展示 HO 和 LO 波形以及原理图？

你好、Che、

这两个级别是相同的。 请注意、该图引用了电流感测引脚上的电压、而您突出显示的文本引用了内部信号。 这两个值相差~10倍。 这是由增益为10的电流感应放大器导致的。

电流限制根据运行模式而变化。 在升压模式下、电压为2.5V (内部)；在降压模式下、电压限制为1.25V (内部)。 在降压/升压模式期间、电流限制会相应地在降压和升压限制之间转换。 这是预期的运行方式…

您好、Garrett、

感谢您的回复。 图2是降压或升压模式下的平均电流限制。 请参阅黄色线、LM5118似乎具有针对不同电流速率的两级保护。  

你好、Che、

请参阅数据表的图2。 请注意、电流限制将根据输入输出比而变化。 为了正确调整电感器的尺寸、最好将其基于升压模式运行、因为此时电感器电流最大。 要进行简单计算、请使用 LM5118快速入门计算器

谢谢、

Garrett

您好 Harald、

LM5002不能用作降压/升压转换器。
高于800kHz 的开关频率将导致效率降低。 我建议使用较低的 Fsw。
您可以选择 LM5118降压/升压控制器、但最大 Fsw 仅为500kHz。 如果您仍然需要更高的 Fsw、LM3481可用作 SEPIC 配置。

此致、
Zack