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你好Don 感谢您的快速回复。
我们切换设备的速度真的很慢，以秒为单位，所以希望dv/dt不会损坏驱动程序。 但是，如果您认为为驾驶员提供额外保护是谨慎的做法，请告诉我。
是的，我的计划是使用隔离电源(18V或24V)并将其连接到输出驱动器电源引脚(VCC2)。
您是否打算包括“此TI设计”的URL或超链接？ 因为我看不出来你在这里指的是什么。
此致
尼克…
您好，Nick：
欢迎使用e2e，感谢您对我们设备的关注！
看到IXYS零件的电压为4000V，我有点惊讶！
您可能需要注意这样一个高电压FET的切换速度。 如果切换速度过快，dv/dt可能会损坏驱动程序。
您当然可以将ISO5451用作高侧驱动器。 诀窍是为其提供电源。 您可以使用bootstrap或隔离的供应来完成此任务。 您可能需要研究此TI设计，以了解一种推荐的方法。
您好，横田山，
对于MOSFET和IGBT应用，VCC2和VEE2的电源电压不同。 更具体地说，SI MOSFET的电源电压通常为+12V/0V，SIC MOSFET为+20V/-5V，IGBT为+15V和-8V。 ISO5451-Q1具有VCC2的电压监控功能，阈值电压为12.6V (典型值)。 在电源电压不足的情况下，驱动器输出将被禁用。 也就是说，ISO5451适用于驱动SIC…
您好…
Yaita，您好！
在TI中，我们有不同类型的带Miller锁模功能的隔离栅极驱动器。
- ISO5852S
- ISO5851
- ISO5452
- ISO5451
有关详细信息，请查看数据表，如有任何问题，请告知我们。
谨致问候，
熊
如果如上所示，断开线路上的红色标记并使用1.5K电阻器将PIN7拉至15V，为什么IGBT关闭时PIN7引脚上的电压不会下降？
UCC217xx 和 ISO5x5x 都是具有高级保护特性的单通道隔离式栅极驱动器…
这里有几个问题：
1.DESAT引脚的功能是提供去饱和故障检测功能，不太理解这里的故障动作方式是怎样进行的？
2.在DESAT引脚的后面介入一个100~1k欧姆的电阻正如文中所说是限制这里的电流，那右边的二极管作用是如何体现的？在正常的开关管开通和关断的时候这里的电流走向是什么样的？故障情况下又是怎么样的？
烦请大神给予解答啊！
打算制作一款MMC电路，选择一款具有过流保护功能的MOS驱动器，看到iso5451是一个不错的选择。认真读完数据手册后有一些疑惑：
1.在D'ESAT脚上接的220pF电容上并联的是稳压二极管吗？这个该怎么选？
2.手册显示MOS管过流漏源电压达到9V-Vf *n 时进行保护，Vf为DESAT脚上的二极管正向电压，n为二极管个数，对于MOS来说导通电阻很小，那么过流时漏源电压也不大，这么以来我们得需要串联很多二极管了…
目前想使用贵公司的隔离型开关管驱动器ISO5451设计SiC器件的驱动电路，有几个问题想请教一下：
1. ISO5451具有有源米勒钳位（ACTIVE MILLER CLAMP）功能，是否意味着不使用负压就可实现开关管的可靠关断？使用单电源方案（数据手册中Figure 43. Unipolar Output Supply）加上有源米勒钳位对于大功率开关模块（例如100A）是否有效？
2. 另外该驱动芯片是否适合应用在SiC开关器件中…
