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尊敬的团队：
我的客户询问内部 RST 引脚上的电阻值是多少？ 他们提出要求的原因是…
作者：Captain Luo
在电机驱动、逆变电源等应用中，桥式电路是最基本的拓扑，典型三相桥式逆变电路如下图1所示。而桥式电路中的任一桥臂，其上下管一般采用180°导通方式，即上下管互补开关，为避免上下管直通，可采用插入死区的方式把上下管导通时刻错开。但是，实际应用中微控制器可能因为程序错乱或上电过程中IO默认高电平等原因…
主题中讨论的其他部件…
您好，Dean：
如果您需要我们的进一步支持，请告知我们。
谨致问候，
熊
您好，Dean：
您能否分享我们可以了解更多详细信息的示意图？
谨致问候，
熊
部件未损坏。 部件在重新通电 后正常工作。 在极低的电机电压(28VDC)下，它不会出现故障。
您好，Nick：
是的。 它可以支持3kV的工作电压。
谨致问候，
熊
你好，熊
感谢您的电子邮件。
此解决方案是否支持3 kV的工作电压？
此致
尼克
您好，Nick：
您是否考虑使用两个串联隔离屏障来获得更高的隔离等级？ 如果是，我建议您串联使用TI的ISO7821DW和ISO5852SDW。 值得一提的是，需要使用两个独立的电源。 我还要求Jani给您打电话，以确保您的问题得到解决。
谨致问候，
熊
你好，熊
大家都同意爬电距离，很遗憾没有更大的封装和更宽的主体。
离散解决方案是好的，但我们需要切换高侧，而不是低侧。
听起来您可能没有合适的东西？
此致
尼克
您好，Nick：
您认为爬电距离会受到驱动器IC的封装限制是正确的。 要支持3kV直流系统，最小爬电距离必须为10 mm。 但是，它是ISO5851/ISO5451的5451的8 mm。
在TI，我们拥有数字隔离器ISO7821DWW，它可以支持高达3kVDC的系统。 ISO7821DWW +低侧驱动器的独立解决方案是否适合您？
谨致问候，
熊
熊晓峰，您好！
感谢您的电子邮件。
我们可以在IC下方的PCB中添加一个切口插槽，如果这有助于爬电距离？ 或者，这更多地与IC本身的整个车身跟踪有关吗？
接地连接至HV PSU的负极端子，请参阅下文。
此致
尼克
您好，Nick：
ISO5451/ISO5851不5851不适合系统电压为3kVDC的应用。 限制主要在于包装的爬电距离和间隙距离。 能否展示系统中接地的连接方式？ 您是否知道栅极驱动器需要哪种隔离？ 基本，强化或功能？ 我们可以根据隔离要求为您提供一些离散解决方案(数字隔离器+非隔离栅极驱动器)。
谨致问候，
熊
熊晓峰，您好！
感谢您的回复。
1.请参阅随附的草图。 我们需要将高压电源的输出与电容器充电电路隔离，最大输出电压为3 kV，平均输出电流约为0.6 A。我们计划使用HV MOSFET，例如IXYS零件号IXTF1N450
2.我们有一个隔离电源供应VCC2，我们在电压方面有一定的灵活性(例如 15V/18V/24V)
此致
尼克
您好，Nick：
1.如果您能与我们分享您的原理图，我们可以在这一点上进行更好的评估。 对于工作电压较高的系统，ISO5851是更好的选择。
2.在ISO5451/ISO5851中5851中，VCC2具有欠压锁定功能。 阈值为12伏。 也就是说，VCC2的供电电压需要高于12伏，以便驾驶员正常工作。 我们建议使用15 V min来实现更稳健的操作。 一般而言，MOSFET的切换速度较IGBT为高…
熊晓峰，您好！
感谢您的回复。
我还有几个问题要问：
-在我的系统中，VDC_plus为3 kV，此驱动器IC是否正常？
-使用高电压MOSFET而不是IGBT时，我需要考虑哪些方面？
此致
尼克
