按标记浏览

您好 Tony、

我在下表中的列表中包含了您提到的用于比较驱动程序的一些关键参数。

…

您好、Audrey、

感谢您提供详细的反馈、这对您有很大帮助。

此致、

托比亚斯

您好 Tobias、

是的、可以这样做。 如果驱动器非常靠近 SiC 器件、则米勒钳位将非常有用。 如果它远离、钳位引脚的电流环路中将存在寄生效应、因此不是很有用。

此外、还可以将外部 PNP BJT 连接为外部钳位、以便将其放置在靠近 SiC 器件的位置。 PNP 的栅极可连接到 CLAMP、后者可测量栅极电压。 达到阈值后、PNP 将栅极下拉至 VEE。 如果它比 ISO5451的内部…

您好、Audrey、

感谢你的答复。 你是对的、不知怎么说、照片不包括在内。 现在、您应该在上面看到它。

米勒钳位仍然可以使用。 正如您所写的那样、目的是使用米勒钳位与单极栅极电压电源、或者使用下拉 BJT 并在不将引脚7连接到栅极的情况下为栅极提供双极电压。

如果您同意或存在错误、请告诉我。

谢谢、此致、

Tobi

您好 Tobias、

很抱歉、我看不到您附加的图片。 您可以尝试以不同的方式连接它吗？

您仍可以将内部米勒钳位与缓冲器电路配合使用。 但是、如果您在 VEE2上使用负偏置、则最好仅使用外部缓冲器的下拉电阻器、因为与内部米勒钳位相比、它在物理上更靠近 SiC MOSFET 的栅极。 因此、在这个应用中也许没有必要使用钳位。

此致、
Audrey

您的评论"TI 的串联电容隔离得到了增强、因此当发生故障时、您仍将得到基本隔离"意味着用户无需担心故障、因为基本隔离保持不变。

换言之、可以超过 ISO5451数据表第7.8节中的 mA 和 mW 数字、因为最坏情况下的基本隔离完好无损。 这是您的意思吗？

7.8安全限值

安全限制旨在最大限度地减少输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。 I/O 故障会导致对地或电源的电阻较低…

您好！

感谢您的提问。

它不是驱动单独的器件、而是驱动一个 IGBT/FET。 在内部、驱动器的上拉部分包括向 IGBT/FET 栅极提供电流的 NMOS (TI 栅极驱动器的 PMOS)、而下拉部分包含一个从 IGBT/FET 栅极灌入电流的 NMOS。 结构在下面数据表的方框图中突出显示。

在 ISO5451中，您将注意到只有一个引脚用于输出驱动，标记为 OUT。…

尊敬的 Euan：

这是一个非常好的问题。

两种设计中的 RC 滤波器均使用10欧姆电阻器/0.1uF 电容器、因此3dB 截止频率为~160kHz、而0.1uF 电容器作为 ISO5451和 ISO5851输入侧的旁路电容器提供双占空比。

降压转换器为 LDO (用于栅极驱动器上的输入侧)和用于高侧驱动器的 SN6505a 推挽转换器供电。  

此推挽式转换器的工作频率为…

什么是共享功能？

ISO5451、ISO5452、ISO5851、ISO5852S 是面向 IGBT 和 SiC 应用的单通道隔离式栅极驱动器系列。  它们还提供符合 AEC-Q100标准的型号。

这些器件是具有5.7kVrms 增强型隔离的2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器

它们的共享功能集包括：

• • 具有故障警报的 DESAT 保护
  • 米勒钳位
  • 输出短路钳位

…

你好、Audrey

非常感谢您的帮助、我对齐纳二极管的功能有点失落、但现在我理解了。

此致

Uriel、您好！

齐纳二极管应靠近栅极驱动器 IC 引脚放置、以限制 DESAT 引脚上的电压。 齐纳二极管可以高于 DESAT 阈值电压并低于引脚的最大电压、即小于 VCC2。 EVM 给出了使用12V 齐纳二极管 MMSZ5242B-7-F (如 用户手册中所示)的示例。

此致、

Audrey

Manoj、

感谢您的提问。

实际上、对于逆变器设计、您甚至可以通过单个隔离式电源提供低侧驱动器、并在高侧使用自举。

与变压器解决方案相比、自举电源的优势是降低了成本和复杂性。

主要缺点是它不能支持 MOSFET 在100%的时间内保持导通、因为自举电容器在每个关断周期内都会补充。 如果关断周期变得越来越小、自举电容器电荷将无法完全补充。 在这种情况下、应使用单独的高侧电源…

[引用 user="Pranit Pawar1"]

我想在上述配置中模拟驱动器行为。 驱动程序的 pspice 模型是否会模拟此行为？

[/报价]

是的、它将起作用。 但是、正如 Krystian 所建议的、如果您实际上希望在生产设计中使用米勒钳位、那么 UCC5350 (或具有一个额外功能的 ISO5451)将是您的最佳选择。 米勒钳位根据栅极电压激活、但在您的配置中、您必须在不知道栅极电压是多少的情况下处理计时问题…